主动矩阵式有机发光二极管显示装置及其制作方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种主动矩阵式有机发光二极管显示装置及其制作方法，所述显示装置包括：基板、及分别设于基板上的第一薄膜晶体管及第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管包括设于基板上的第一栅极、设于第一栅极上的第一有源层、及设于第一有源层上的第一源/漏极，第二薄膜晶体管包括与第一有源层同层的第二有源层、设于第二有源层上的第二栅极、及设于第二有源层上的第二源/漏极。本发明专利技术的主动矩阵式有机发光二极管显示装置及其制作方法，其通过增加一层金属层使得第一与第二栅极分开制成，有效的提高了主动矩阵式有机发光二极管显示装置的分辨率，相比现有技术，本发明专利技术的制程相对较少，进而有效的降低了生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及平面显示领域，尤其涉及一种。
技术介绍
有机发光显示器(OrganicLight Emitting Diode Display, OLED)又称为有机发光二极管，是自20世纪中期发展起来的一种新型显示技术。与液晶显示器相比，有机发光二极管具有全固态、主动发光、高亮度、高对比度、超薄、低成本、低功耗、快速响应、宽视角、工作温度范围宽、易于柔性显示等诸多优点。有机发光二极管的结构一般包括:基板、阳极、阴极和有机功能层，其发光原理是通过阳极和阴极间蒸镀的非常薄的多层有机材料，由正负载流子注入有机半导体薄膜后复合产生发光。有机发光二极管的有机功能层，一般由三个功能层构成，分别为空穴传输功能层(Hole Transport Layer, HTL)、发光功能层(Emissive Layer, EML)、电子传输功能层(Electron Transport Layer, ETL) 每个功能层可以是一层，或者一层以上，例如空穴传输功能层，有时可以细分为空穴注入层和空穴传输层；电子传输功能层，可以细分为电子传输层和电子注入层，但其功能相近，故统称为空穴传输功能层，电子传输功能层。目前，全彩有机发光二极管的制作方法以红绿蓝(RGB)三色并列独立发光法、白光加彩色滤光片法、色转换法三种方式为主，其中红绿蓝三色并列独立发光法最有潜力，实际应用最多，其制作方法是红绿蓝选用不同主体和客体的发光材料。有机发光二极管，根据其驱动方式，可以分为无源驱动和有源驱动两大类，即直接寻址和薄膜晶体管(TFT)矩阵寻址两类。所述有源驱动类有机发光二极管即是有源矩阵式有机发光二极管(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode, AM0LED),也称主动矩阵式有机发光二极管。请参阅图1，现有的主动矩阵式有机发光二极管显示装置一般包括:有机发光二极管100及电性连接于该有机发光二极管100的薄膜晶体管300，其制作方式一般为，先形成薄膜晶体管300，以薄膜晶体管300的像素电极作为有机发光二极管100的阳极102，在该阳极102上形成空穴传输层(Hole Transport Layer, HTL) 104，在空穴传输层104上形成发光功能层(Emissive Layer, EML) 106,在发光功能层106上形成电子传输功能层(Electron Transport Layer, ETL) 108,在电子传输功能层108上形成阴极110。现有的薄膜晶体管300 —般需要7 10道光罩制程可以完成，其形成方式一般为，在基板301上形成第一绝缘层302,在第一绝缘层302上形成的有源层(active layer)303，并通过光罩制程形成预定图案，在有源层303上形成第二绝缘层304，在第二绝缘层304上形成第一金属层，并通过光 罩制程形成栅极305，在第一金属层上形成第三绝缘层306，在第三绝缘层306上形成第二金属层，并通过光罩制程形成源/漏极307，在第二金属层上形成第四绝缘层308，在第四绝缘层308上形成像素电极(阳极)102，在像素电极102上形成第五绝缘层309，并通过光罩制程形成预定图案，进而制得薄膜晶体管300。然而随着分辨率的增加(high ppi)，画素设计空间亦趋不足，为了克服该缺陷，本领域技术人员通过在现有的薄膜晶体管300的第四绝缘层308上增加一层第三金属层310 (如图2所示)，并在该第三金属层310上形成第六绝缘层311，该第三金属层310 —端电性连接于有机发光二极管100的阳极102，另一端电性连接于薄膜晶体管300的源/漏极307，以协助薄膜晶体管300与有机发光二极管100的传导，借以降低画素设计所需的空间。然而，该种方式却需要增加两道光罩制程，使得薄膜晶体管的制程更为复杂，极大地增加了生产成本。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种主动矩阵式有机发光二极管显示装置，其结构简单，分辨率高，生产成本低。本专利技术的另一目的在于提供一种主动矩阵式有机发光二极管显示装置的制作方法，其制程简单，成本低，且能有效提高制得的主动矩阵式有机发光二极管显示装置的分辨率。为实现上述目的，本专利技术提供一种主动矩阵式有机发光二极管显示装置，包括:基板、及分别设于基板上的第一薄膜晶体管及第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管包括设于基板上的第一栅极、设于第一栅极上的第一有源层、及设于第一有源层上的第一源/漏极，第二薄膜晶体管包括与第一有源层同层的第二有源层、设于第二有源层上的第二栅极、及设于第二有源层上的第二源/漏极。所述第一栅极分别与第一有源层及第二有源层之间设有第一栅极绝缘层，第二栅极分别与第一有源层及第二有源层之间设有第二栅极绝缘层，第二栅极绝缘层上设有第一层间绝缘层。所述第一栅极与第一有源层至少部分重叠，所述第二栅极与第二有源层至少部分重叠。所述基板上具有数个像素区，第一薄膜晶体管及第二薄膜晶体管分别设于每一像素区内。还包括设于像素区的存储电容及有机发光元件，该存储电容设于基板上，该有机发光元件包括设于第二薄膜晶体管上并与第二薄膜晶体管电性连接的第一电极、设于第一电极上的有机发光层、及设于有机发光层上的第二电极。所述第一薄膜晶体管为开关薄膜晶体管，第二薄膜晶体管为驱动薄膜晶体管并与第一薄膜晶体管电性连接。所述第一有源层包括多晶硅层，所述第二有源层包括多晶硅层。本专利技术还提供一种主动矩阵式有机发光二极管显示装置的制作方法，包括以下步骤:步骤1、提供基板，并在基板上定义第一薄膜晶体管区域及第二薄膜晶体管区域；步骤2、在基板上形成第一金属层，图案化第一金属层以在第一薄膜晶体管区域形成第一栅极；步骤3、在第一栅极及基板上形成第一栅极绝缘层；步骤4、在第一栅极绝缘层上形成有源区域层，图案化该有源区域层以分别在第一薄膜晶体管区域及第二薄膜晶体管区域形成第一有源层及第二有源层；步骤5、在第一有源层及第二有源层上形成第二栅极绝缘层；步骤6、在第二栅极绝缘层形成第二金属层，图案化第二金属层以在第二薄膜晶体管区域形成第二栅极；步骤7、在第二栅极及第二栅极绝缘层上形成第一层间绝缘层，图案化该第一层间绝缘层；步骤8、在该第一层间绝缘层上形成第三金属层，图案化该第三金属层以分别在第一薄膜晶体管区域及第二薄膜晶体管区域形成第一源/漏极及第二源/漏极。还包括:步骤9、在该第一源/漏极及第二源/漏极上形成第二层间绝缘层，并通过光罩制程图案化该第二层间绝缘层；步骤10、在该第二层间绝缘层上形成透明导电层，并通过光罩制程形成第一电极；步骤11、在第一电极上形成第三层间绝缘层，并通过光罩制程图案化该第三层间绝缘层；步骤12、在第三层间绝缘层上形成有机发光层；步骤13、在有机发光层上形成第二电极。所述步骤4中，还包括对第一有源层和第二有源层进行退火与掺杂工艺处理。本专利技术的有益效果:本专利技术的，其通过增加一层金属层使得第一与第二栅极分开制成，有效的提高了主动矩阵式有机发光二极管显示装置的分辨率，相比现有技术，本专利技术的制程相对较少，进而有效的降低了生产成本。为了能更进一步了解本专利技术的特征以及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本专利技术加以限制。附图说明下面结合附图，通过对本发本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种主动矩阵式有机发光二极管显示装置，其特征在于，包括：基板、分别设于基板上的第一薄膜晶体管及第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管包括设于基板上的第一栅极、设于第一栅极上的第一有源层、及设于第一有源层上的第一源/漏极，第二薄膜晶体管包括与第一有源层同层的第二有源层、设于第二有源层上的第二栅极、及设于第二有源层上的第二源/漏极。

【技术特征摘要】
1.一种主动矩阵式有机发光二极管显示装置，其特征在于，包括:基板、分别设于基板上的第一薄膜晶体管及第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管包括设于基板上的第一栅极、设于第一栅极上的第一有源层、及设于第一有源层上的第一源/漏极，第二薄膜晶体管包括与第一有源层同层的第二有源层、设于第二有源层上的第二栅极、及设于第二有源层上的第二源/漏极。2.如权利要求1所述的主动矩阵式有机发光二极管显示装置，其特征在于，所述第一栅极分别与第一有源层及第二有源层之间设有第一栅极绝缘层，第二栅极分别与第一有源层及第二有源层之间设有第二栅极绝缘层，第二栅极绝缘层上设有第一层间绝缘层。3.如权利要求2所述的主动矩阵式有机发光二极管显示装置，其特征在于，所述第一栅极与第一有源层至少部分重叠，所述第二栅极与第二有源层至少部分重叠。4.如权利要求1所述的主动矩阵式有机发光二极管显示装置，其特征在于，所述基板上具有数个像素区，第一薄膜晶体管及第二薄膜晶体管分别设于每一像素区内。5.如权利要求4所述的主动矩阵式有机发光二极管显示装置，其特征在于，还包括设于像素区的存储电容及有机发光元件，该存储电容设于基板上，该有机发光元件包括设于第二薄膜晶体管上并与第二薄膜晶体管电性连接的第一电极、设于第一电极上的有机发光层、及设于有机发光层上的第二电极。6.如权利要求5所述的主动矩阵式有机发光二极管显示装置，其特征在于，所述第一薄膜晶体管为开关薄膜晶体管，第二薄膜晶体管为驱动薄膜晶体管并与第一薄膜晶体管电性连接。7.如权利要求5所述的主动矩阵式有机发光二极管显示装置，其特征在于，所述第一有源层包括多晶硅层，所述第二有源层包括多晶硅层。8....

【专利技术属性】
技术研发人员：吴元均，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：