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本发明公开了一种带空气间隙结构的半导体功率器件，该半导体功率器件的电子漂移区内具有空气间隙结构。本发明还公开了上述半导体功率器件的制造方法。本发明通过在半导体功率器件宽深的电子漂移(扩散)区，制作空气间隙，减少了电子漂移区的通道面积，从而降...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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