【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体集成电路，特别是涉及一种用LDMOS器件实现的电流采样电路。
技术介绍
LDMOS器件为一种高耐压场效应管，能用于形成电流采样电路。如图1所示，是现有用LDMOS器件实现的电流采样电路的示意图。现有用LDMOS器件实现的电流采样电路包括电流采样用LDMOS器件I和电流对比用LDMOS器件2，电流采样用LDMOS器件I和电流对比用LDMOS器件2的栅极3共接、漏端4共接、源端5A、5B分开接出。从图1中可以看出，电流采样用LDMOS器件I和电流对比用LDMOS器件2的衬底之间还有一个寄生衬底串联电阻10。如图2所示，是现有用LDMOS器件实现的电流采样电路的版图结构示意图。虚线方框6所示区域为电流对比用LDMOS器件2的形成区域，虚线方框7所示区域为电流采样用LDMOS器件I的形成区域。所述电流采样用LDMOS器件I的源区9和所述电流对比用LDMOS器件2的源区8都形成于所述栅极13的外侧。所述电流采样用LDMOS器件I和电流对比用LDMOS器件2的漏区漂移区11和漏区12是共用的。所述漏区漂移区11由多根条形结构并行排列并首尾相连组成，且...
【技术保护点】
一种用LDMOS器件实现的电流采样电路，其特征在于：电流采样电路包括电流采样用的第一LDMOS器件和电流对比用的第二LDMOS器件，所述第一LDMOS器件和所述第二LDMOS器件的栅极共接、漏端共接、源端分开接出；在P型硅衬底上形成有一第一N型注入区，所述第一N型注入区的将所述第一LDMOS器件的第一P型阱和所述第二LDMOS器件的第二P型阱都包围起来，使所述第一P型阱和所述第二P型阱互相由PN结完全隔离开；在所述第一P型阱中形成有所述第一LDMOS器件的源区；所述第一P型阱上覆盖有所述第一LDMOS器件的栅极，所述第一P型阱的被该栅极覆盖区域为形成所述第一LDMOS器件的...
【技术特征摘要】
1.一种用LDMOS器件实现的电流采样电路，其特征在于:电流采样电路包括电流采样用的第一 LDMOS器件和电流对比用的第二 LDMOS器件，所述第一 LDMOS器件和所述第二LDMOS器件的栅极共接、漏端共接、源端分开接出； 在P型硅衬底上 形成有一第一 N型注入区，所述第一 N型注入区的将所述第一 LDMOS器件的第一 P型阱和所述第二 LDMOS器件的第二 P型阱都包围起来，使所述第一 P型阱和所述第二 P型阱互相由PN结完全隔离开； 在所述第一 P型阱中形成有所述第一 LDMOS器件的源区；所述第一 P型阱上覆盖有所述第一 LDMOS器件的栅极，所述第一 P型阱的被该栅极覆盖区域为形成所述第一 LDMOS器件的沟道的区域；所述第一 LDMOS器件的漏区形成于第二 N型注入区中，位于所述第一 P型阱和所述第一 LDMOS器件的漏区间的所述第二 N型注入区组成所述第一 LDMOS器件的漏区漂移区； 在所述第二 P型阱中形成有所述第二 LDMOS器件的源区；所述第二 P型阱上覆盖有所述第二 LDMOS器件的栅极，所述第二 P型阱的被该栅极覆盖区域为形成所述第二 LDMOS器件的沟道的区域；所述第二 LDMOS器件的漏区形成于所述第二 N型注入区中，位于所述第二P型阱和所述第二 LDMOS器件的漏区间的所述第二 N型注入区组成所述第二 LDMOS器件的漏区漂移区； 在俯视平面上，所述电流采样电路的版图结构为: 所述第一 LDMOS器件位于中间位置，所述第一 LDMOS器件的源区被一首尾相连的呈闭合图形结构的栅极围绕在中间，所述第一 LDMOS器件的漏区漂移区呈条形结构、且所述第一LDMOS器件的栅极和源区都处于所述第一 LDMOS器件的漏区漂移区中，在所述第一 LDMOS器件的漏区漂移区的两侧为所述第一 LDMOS器件的两根呈条形结构的漏区； 所述第二 LDMOS器件由多根条形单元并联连接形成，各所述条形单元的源区、漏区漂移区、漏区都为相同的条形结构，最内侧的两个所述条形单元的漏区分别和所述第一 LDMOS器件的两个条形漏区共用；从所述第一 LDMOS器件的两个条形漏区开始往外，各所述条形单元按照:漏区、漏区漂移区、源区、漏区漂移区、漏区的排列方式依次往外排...
【专利技术属性】
技术研发人员：金锋，朱丽霞，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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