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本发明公开了一种用LDMOS器件实现的电流采样电路，电流采样用的第一LDMOS器件和电流对比用的第二LDMOS器件的P型阱都用N型注入区包围，第一LDMOS器件的源区用栅极围绕并置于整个电流采样电路的中间；第一LDMOS器件的漏区和第二LD...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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