一种电流采样电路制造技术

本实用新型专利技术提供一种电流采样电路，包括管脚Ps、分流功率NMOS管、采样功率NMOS管M2、M3、M4、采样电阻Rs，分流功率NMOS管和采样功率NMOS管M2、M3和M4的漏极接管脚Ps，分流功率NMOS管和采样功率NMOS管M2的栅极接电源Vin，采样电阻Rs的一端接采样管M2、M3、M4的源极，另一端接地，其特征在于：采样功率NMOS管M3和M4的导通状态被信号分别控制，所述控制采样功率NMOS管M3和M4导通状态的信号外部输入管脚A和管脚B提供。可以实现多种限流值，方式简单。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
一种电流采样电路
[0001 ] 本技术涉及集成电路领域，特别涉及用于模拟集成电路中的电流采样电路。
技术介绍
在集成电路的中，尤其是模拟集成电路中，为了检测大电流，因为功耗等的要求需要对电流进行采样后在进行检测。而通常电流的采样只能有一种采样值。这样的方案主要存在以下缺陷:因为只能采样一种电流，所以它所能检测的电流值只有一种，不便于实现多种电流值得采样检测。
技术实现思路
为了解决电流检测电路只能采样一种电流值，不便于实现多种电流值得采样检测的缺点。本技术的解决方案如下:一种电流采样电路，包括管脚Ps、分流功率NMOS管(3)、采样功率NMOS管M2 (4)、M3 (5)、M4 (6)、采样电阻Rs (8)，分流功率NMOS管(3)和采样功率NMOS管M2 (4)、M3 (5)和M4 (6)的漏极接管脚Ps，分流功率NMOS管(3)和采样功率NMOS管M2 (4)的栅极接电源Vin，采样电阻Rs (8)的一端接采样管NMOS管M2 (4)、M3 (5)、M4 (6)的源极，另一端接地。采样功率NMOS管M3 (5)和M4 (6)的导通状态被信号分别控制，所述控制采样功率NM本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电流采样电路，包括管脚Ps、分流功率NMOS管（3）、采样功率NMOS管M2（4）、M3（5）、M4（6）、采样电阻Rs（8），分流功率NMOS管（3）和采样功率NMOS管M2（4）、M3（5）和M4（6）的漏极接管脚Ps，分流功率NMOS管（3）和采样功率NMOS管M2（4）的栅极接电源Vin，采样电阻Rs（8）的一端接采样功率NMOS管M2（4）、M3（5）、M4（6）的源极，另一端接地，其特征在于：采样功率NMOS管M3（5）和M4（6）的导通状态被信号分别控制，所述控制采样功率NMOS管M3（5）和M4（6）导通状态的信号由外部输入管脚A（7）和管脚B（8）提供。

【技术特征摘要】
1.一种电流采样电路，包括管脚Ps、分流功率NMOS管(3)、采样功率NMOS管M2 (4)、M3 (5)、M4 (6)、采样电阻Rs (8)，分流功率NMOS管(3)和采样功率NMOS管M2 (4)、M3 (5)和M4 (6)的漏极接管脚Ps，分流功率NMOS管(3)和采样功率NMOS管M2 (4)的栅极接...

【专利技术属性】
技术研发人员：张俊，
申请(专利权)人：陕西易阳科技有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西;61