【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括：基底、基底表面的绝缘层、以及绝缘层表面的半导体层；在所述半导体衬底表面形成掩膜层，所述掩膜层暴露出部分半导体衬底表面；以所述掩膜层为掩膜，采用第一各向异性的湿法刻蚀工艺刻蚀所述半导体层，在所述半导体层内形成第一开口，所述第一开口暴露出绝缘层表面；在形成第一开口后，去除所述掩膜层；在去除所述掩膜层后，采用第二各向异性的湿法刻蚀工艺刻蚀所述半导体层，在相邻第一开口之间的半导体层内形成第二开口，所述第二开口暴露出绝缘层表面；在形成第二开口后，去除部分所述绝缘层，形成悬空于基底上方的纳米线；在去除绝缘层后，对所述纳米线进行热退火，使所述纳米线的横截面变为圆形。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：宋化龙，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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