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一种半导体器件的形成方法、晶体管的形成方法，其中，半导体器件的形成方法包括：提供绝缘体上半导体衬底，绝缘体上半导体衬底包括：基底、基底表面的绝缘层、以及绝缘层表面的半导体层；在半导体衬底表面形成掩膜层并暴露出部分半导体衬底表面；以掩膜层为掩...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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