【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种基于SOI材料的双极型高压CMOS单多晶硅填充深沟道器件隔离工艺，应用于基于SOI材料制作BCD集成器件的BCD工艺中，所述SOI材料为在单晶硅或多晶硅衬底和外延单晶硅层之间引入一层二氧化硅绝缘层，其特征在于，包括如下步骤：在外延单晶硅层上制备硅的局部氧化区；刻蚀所述外延单晶硅层至所述二氧化硅绝缘层中形成由深沟道组成的深沟道区域；制备BCD栅氧化层覆盖刻蚀后剩余的外延单晶硅层的表面、硅的局部氧化区的表面和深沟道区域中的每个深沟道的底部及其侧壁上；沉积栅极多晶硅覆盖BCD栅氧化层的表面，同时填满深沟道区域中的每个深沟道；对栅极多晶硅的表面采用平坦化工艺后，根据工艺尺寸需要刻蚀所述栅极多晶硅，形成BCD集成器件的栅极；继续源漏极离子注入工艺，于BCD集成器件的栅极附近的外延单晶硅层上形成BCD集成器件的源极和漏极后，继续后续BCD集成器件的制备工艺，以将BCD集成器件的栅极通过接触电极与金属互连层相连。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：景蔚亮，陈邦明，
申请(专利权)人：上海新储集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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