在CMOS工艺中单片集成光子元件与电子元件制造技术

本发明专利技术揭示在CMOS工艺中单片集成光子元件与电子元件，且所述单片集成可包含以不同的硅层厚度在单一CMOS晶片上制造光子和电子装置。可利用块体CMOS工艺在绝缘体上半导体（SOI）晶片上且/或利用SOI?CMOS工艺在SOI晶片上制造所述装置。可利用双重SOI工艺和/或选择性区域生长工艺来制造所述不同的厚度。可在CMOS晶片上利用一次或一次以上氧植入和/或利用CMOS晶片上的CMOS沟槽氧化物来制造覆层。可利用外延横向过生长在所述CMOS沟槽氧化物上沉积硅。可利用选择性背面蚀刻来制造覆层。可通过在选择性蚀刻的区上沉积金属来制造反射表面。可将集成于所述CMOS晶片中的二氧化硅或硅锗用作蚀刻终止层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的某些实施例涉及半导体处理。更明确来说，本专利技术的某些实施例涉及一种用于在CMOS工艺中单片集成光子元件和电子元件的方法和系统。
技术介绍
随着数据网络逐步增加以满足不断增长的带宽要求，铜数据通道的缺陷正变得显而易见。因辐射的电磁能量引起的信号衰减和串扰是此类系统的设计者所面临的主要阻碍。可通过均衡化、编码和屏蔽而使其在一定程度上减轻，但这些技术要求相当大的功率、复杂性和大体积电缆的代价，同时仅提供能达到的少量的改善和非常有限的缩放性。光学通信因为没有此些通道限制，已被视为铜链接的后继者。通过将此类系统与参考图式在本申请案的其余部分中所陈述的本专利技术进行比较，所属领域的技术人员将明白常规和传统的方法的其它限制和缺点。
技术实现思路
大体上在图中展示和/或结合图中的至少一者来描述一种用于在CMOS工艺中单片集成光子元件与电子元件的系统和/或方法，其在技术方案中有更全面的陈述。通过以下描述和图式，将更完全地理解本专利技术的各种优点、方面和新颖特征，以及本专利技术的所说明的实施例的细节。附图说明图1A是根据本专利技术的实施例的光子学方式实现的CMOS芯片的框图。图1B是说明根据本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于半导体处理的方法，所述方法包括：在具有用于光子和电子装置的不同的硅层厚度的两个互补金属氧化物半导体（CMOS）晶片上通过将所述晶片中的每一者的至少一部分结合在一起来制造所述光子装置和所述电子装置，其中所述CMOS晶片中的第一者包括所述光子装置，且所述CMOS晶片中的第二者包括所述电子装置。

【技术特征摘要】
2008.09.08 US 61/191,479;2008.11.14 US 61/199,3531.一种用于半导体处理的方法，所述方法包括: 在具有用于光子和电子装置的不同的硅层厚度的两个互补金属氧化物半导体(CMOS)晶片上通过将所述晶片中的每一者的至少一部分结合在一起来制造所述光子装置和所述电子装置，其中所述CMOS晶片中的第一者包括所述光子装置，且所述CMOS晶片中的第二者包括所述电子装置。2.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒂埃里·潘盖，斯特芬·格勒克纳，彼得·德多伯拉尔，谢里夫·阿布达拉，丹尼尔·库哈尔斯基，吉安洛伦佐·马西尼，横山公成，约翰·古肯伯格，阿蒂拉·梅基什，
申请(专利权)人：乐仕特拉公司，
类型：发明
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