一种半导体结构及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体结构的制造方法，该方法包括：提供衬底，在该衬底上形成并行两个半导体鳍片、以及用于形成源/漏区的源/漏结构，其中，该源/漏结构分别与所述两个半导体鳍片的两端相连接；形成栅介质层以覆盖所述衬底、所述两个半导体鳍片以及所述源/漏结构；形成相互分离的第一栅极、第二栅极以及第三栅极，其中，所述第一栅极和第二栅极分别位于所述两个半导体鳍片背离的外侧侧壁上，所述第三栅极位于所述两个半导体鳍片相邻的内侧侧壁之间；在所述源/漏结构中形成源/漏区。相应地，本发明专利技术还提供了一种半导体结构。本发明专利技术通过在两个半导体鳍片相邻的内侧侧壁之间形成了第三栅极，可以用于有效地调整双鳍型半导体器件的阈值电压，提高双鳍型半导体器件的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，尤其涉及。
技术介绍
在半导体技术中，围绕如何实现全耗尽型器件的整体构思，研发的重心转向立体型器件结构。立体型器件结构是指在绝缘体上娃(Silicon-On-1nsulator, SOI)上形成 FinFET，包括在硅鳍片(Fin)的中间形成的沟道区、在硅鳍片的侧壁形成的栅极以及在硅鳍片两端形成的源/漏区。当前，立体型器件结构已出现双鳍结构，即，在半导体衬底上形成两个并行的鳍型沟道(鳍片)，在每个鳍型沟道的两端分别接有各自的源/漏区，每个鳍型沟道的外侧侧壁具有各自的栅极，从而以两个并行的鳍型沟道为基础形成两个半导体器件。在半导体器件中，阈值电压是一个很重要的电性参数，是使源极和漏极之间形成导电沟道所需的栅极电压。阈值电压随物理条件的变化会产生飘移，其中，随物理条件的变化产生的飘移越小，则半导体器件的性能就可靠。因此，亟需提出，可以有效地调整双鳍型半导体器件的阈值电压，提高双鳍型半导体器件的性能。
技术实现思路
本专利技术提供了，可以有效地调整双鳍型半导体器件的阈值电压，提高双鳍型半导体器件的性能。根据本专利技术的一个方面，本专利技术提供了一种半导体结构的制本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构的制造方法，该方法包括：a)提供衬底，在该衬底上形成并行两个半导体鳍片、以及用于形成源/漏区的源/漏结构，其中，该源/漏结构分别与所述两个半导体鳍片的两端相连接；b)形成栅介质层(400)以覆盖所述衬底、所述两个半导体鳍片以及所述源/漏结构；c)形成相互分离的第一栅极(501)、第二栅极(502)以及第三栅极(503)，其中，所述第一栅极(501)和第二栅极(502)分别位于所述两个半导体鳍片背离的外侧侧壁上，所述第三栅极(503)位于所述两个半导体鳍片相邻的内侧侧壁之间；d)在所述源/漏结构中形成源/漏区。

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，该方法包括 a)提供衬底，在该衬底上形成并行两个半导体鳍片、以及用于形成源/漏区的源/漏结构，其中，该源/漏结构分别与所述两个半导体鳍片的两端相连接； b)形成栅介质层(400)以覆盖所述衬底、所述两个半导体鳍片以及所述源/漏结构； c)形成相互分离的第一栅极(501)、第二栅极(502)以及第三栅极(503)，其中，所述第ー栅极(501)和第二栅极(502)分别位于所述两个半导体鳍片背离的外侧侧壁上，所述第三栅极(503)位于所述两个半导体鳍片相邻的内侧侧壁之间； d)在所述源/漏结构中形成源/漏区。2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述步骤c)包括 沉积栅极材料层(500)覆盖所述衬底、所述两个半导体鳍片以及所述源/漏结构，平坦化该栅极材料层(500)直至暴露所述两个半导体鳍片以及所述源/漏结构；以及 部分去除栅极材料层(500)，在所述两个半导体鳍片背离的外侧侧壁上形成第一栅极(501)和第二栅极(502)，在所述两个半导体鳍片相邻的内侧侧壁之间形成第三栅极(503)。3.根据权利要求1或2所述的制造方法,其中,所述衬底包括体娃衬底或者绝缘体上半导体衬底。4.根据权利要求1或2所述的制造方法，其中 所述栅介质...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱慧珑，尹海洲，骆志炯，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：