【技术实现步骤摘要】
要求国内优先权本申请是2011年11月14日提交的美国申请号13/295843的部分继续申请,并根据 35U. S.C. § 120要求上述申请的优先权。
本专利技术一般涉及半导体器件,且更具体地涉及形成具有较大载体的重构半导体晶片以实现每个晶片更多的具有在温度和压力下沉积的密封剂的eWLB封装的半导体器件和方法。
技术介绍
常常在现代电子产品中发现半导体器件。半导体器件在电部件的数目和密度方面变化。分立的半导体器件一般包含一种类型的电部件,例如发光二极管(LED)、小信号晶体管、电阻器、电容器、电感器、以及功率金属氧化物半导体场效应晶体管(M0SFET)。集成半导体器件典型地包含几百个到数以百万的电部件。集成半导体器件的示例包括微控制器、微处理器、电荷耦合器件(CXD )、太阳能电池以及数字微镜器件(DMD )。半导体器件执行各种的功能,诸如信号处理、高速计算、发射和接收电磁信号、控制电子器件、将太阳光转变为电力以及产生用于电视显示的视觉投影。在娱乐、通信、功率转换、网络、计算机以及消费产品的领域中发现半导体器件。还在军事应用、航空、汽车、工业控制器和办公设备中 ...
【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法,包括:提供半导体晶片,其包括形成于半导体晶片的表面面积内的多个半导体管芯;从半导体晶片分割半导体管芯;提供具有比半导体晶片的表面面积大的表面面积的载体;以及将半导体管芯安装于载体以形成重构晶片,其中,安装于载体的半导体管芯的数目大于从半导体晶片分割的半导体管芯的数目。
【技术特征摘要】
2011.10.06 US 61/544,248;2011.11.14 US 13/295,8431.一种制造半导体器件的方法,包括 提供半导体晶片,其包括形成于半导体晶片的表面面积内的多个半导体管芯; 从半导体晶片分割半导体管芯; 提供具有比半导体晶片的表面面积大的表面面积的载体;以及将半导体管芯安装于载体以形成重构晶片,其中,安装于载体的半导体管芯的数目大于从半导体晶片分割的半导体管芯的数目。2.权利要求1的方法,其中,所述半导体管芯是已知良好半导体管芯。3.权利要求1的方法,其中,载体的表面面积比半导体晶片的表面面积大10-50%。4.权利要求1的方法,还包括 提供套式模具; 将重构晶片设置在套式模具内; 将套式模具闭合,其中半导体管芯设置于套式模具的腔体内; 在温度和压力下将密封剂分散在腔体内的半导体管芯周围; 从套式模具去除重构晶片;以及 在重构晶片上面形成互连结构。5.权利要求4的方法,其中,提供套式模具包括; 提供包括该腔体的上模具支撑体; 提供具有弹簧加载升降销的下模具支撑体; 将重构晶片安装在弹簧加载升降销上面; 在重构晶片上面沉积密封剂; 闭合套式模具,使得下模具支撑体和上模具支撑体在压力下接触载体以包围在上模具支撑体的腔体内的半导体管芯和密封剂并压缩弹簧加载升降销;以及在提升的温度下在半导体管芯周围分散密封剂。6.权利要求4的方法,还包括 提供包括进口和该腔体的上模具支撑体; 提供具有弹簧加载升降销的下模具支撑体; 将重构晶片安装在弹簧加载升降销上面; 将套式模具闭合,使得下模具支撑体和上模具支撑体接触载体并压缩弹簧加载升降销,其中半导体管芯被设置在上模具支撑体的腔体内;以及 在提升的温度下通过进口向半导体管芯周围的腔体中注入密封剂。7.权利要求4的方法,其中,形成互连结构包括 在重构半导体晶片的表面上面形成第一绝缘层; 在第一绝缘层上面形成导电层;以及 在第一绝缘层和导电层上面形成第二绝缘层。8.一种由以下工艺制造的半导体器件,包括; 提供半导体晶片,其包括形成于半导体晶片的表面面积内的多个半导体管芯; 从半导体晶片分割半导体管芯; 提...
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