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本发明提供了一种半导体结构的制造方法，该方法包括：提供衬底，在该衬底上形成并行两个半导体鳍片、以及用于形成源/漏区的源/漏结构，其中，该源/漏结构分别与所述两个半导体鳍片的两端相连接；形成栅介质层以覆盖所述衬底、所述两个半导体鳍片以及所述源...该专利属于中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司授权不得商用。