显示装置、透反式薄膜晶体管阵列基板及其制作方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种显示装置、透反式薄膜晶体管阵列基板及其制作方法，制作方法包括：提供一衬底基板；在衬底基板上形成栅线、经过栅线区域处断开的数据线、栅电极、反射电极以及公共电极线，其中，栅线和数据线垂直，栅线与栅电极连接，反射电极所在的区域为反射区域，反射电极和公共电极线之间的区域为透射区域；在栅线、数据线、栅电极、反射电极以及公共电极线上形成图案化的栅绝缘层和位于栅绝缘层上的有源层；在图案化的栅绝缘层和有源层上形成像素电极、源电极、漏电极、断开的数据线的连接线和沟道；在像素电极、源电极和漏电极上形成钝化层及公共电极过孔；在钝化层上形成公共电极。本发明专利技术可以避免强光下的显示效果差的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，特别涉及一种。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显不器(ThinFilm Transistor-Liquid Crystal Display,简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场占了主导地位。当前制作透反式薄膜晶体管液晶显示面板的过程中，阵列基板中的反射电极是与像素电极在同一次构图工艺中一起形成的，这样的显示面板，会出现强光下的显示效果差，反射区和透射区亮度不均的现象。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种，可以避免强光下的显示效果差，反射区和透射区亮度不均的现象。为解决上述技术问题，本专利技术的实施例提供一种透反式薄膜晶体管阵列基板的制作方法，包括以下步骤SI I，提供一衬底基板；S12，在所述衬底基板上形成金属薄膜，由构图工艺形成包括栅线、经过栅线区域处断开的数据线、栅电极、反射电极以及公共电极线的图形，其中，栅线和数据线垂直，栅线与栅电极连接，反射电极所在的区域为反射区域，反射电极和公共电极线之间的区域为透射区域；S13，在完成步骤S12的基板上形成栅绝缘层、半导体薄膜和掺杂半导体薄膜，由构图工艺形成包括图案化的栅绝缘层和位于栅绝缘层上的有源层的图形；S14，在完成步骤S13的基板上形成第一透明导电薄膜，由构图工艺形成包括像素电极、源电极、漏电极、断开的数据线的连接线和沟道的图形；S15，在完成步骤S14的基板上形成钝化层，由构图工艺形成包括公共电极过孔的图形；S16，在完成步骤S15的基板上形成第二透明导电薄膜，由构图工艺形成包括公共电极的图形，所述公共电极通过公共电极过孔与公共电极线连接。其中，所述步骤S12包括在所述衬底基板上形成金属薄膜；采用普通掩模板通过构图工艺对所述金属薄膜进行处理，形成包括栅线、经过栅线区域处断开的数据线、栅电极、反射电极以及公共电极线的图形。其中，所述步骤S13包括在所述栅线、数据线、栅电极、反射电极以及公共电极线上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成半导体薄膜和掺杂半导体薄膜；采用半色调或灰色调掩模板通过构图工艺对所述栅绝缘层、半导体薄膜和掺杂半导体薄膜进行处理，形成包括图案化的栅绝缘层和有源层的图形。其中，采用半色调或灰色调掩模板通过构图工艺对所述栅绝缘层、半导体薄膜和掺杂半导体薄膜进行处理，形成包括图案化的栅绝缘层和有源层的图形包括在所述掺杂半导体薄膜上涂敷一层光刻胶；采用半色调或灰色调掩模板曝光，使光刻胶形成光刻胶完全去除区域、光刻胶完全保留区域和光刻胶半保留区域；光刻胶完全保留区域对应于有源层图形所在区域，光刻胶完全去除区域对应于数据线的连接线过孔和透射区域图形所在区域，光刻胶半保留区域对应于上述图形以外的区域；显影处理后，光刻胶完全保留区域的光刻胶厚度没有变化，光刻胶完全去除区域的光刻胶被完全去除，光刻胶半保留区域的光刻胶厚度减少；通过第一次刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶完全去除区域的掺杂半导体薄膜、半导体薄膜和栅绝缘层，形成数据线的连接线过孔的图形并在所述衬底基板上露出透射区域；通过灰化工艺去除光刻胶半保留区域的光刻胶，暴露出该区域的掺杂半导体薄膜；通过第二次刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶半保留区域的掺杂半导体薄膜和半导体薄膜，形成有源层图形；剥离剩余的光刻胶。其中，所述步骤S14包括在所述图案化的栅绝缘层和有源层上形成第一透明导电薄膜；采用普通掩模板通过构图工艺对所述第一透明导电薄膜进行处理，形成包括像素电极、源电极、漏电极、断开的数据线的连接线和沟道的图形；其中，所述源电极位于所述数据线的连接线上，所述漏电极与所述像素电极连接为一整体，所述数据线的连接线通过所述数据线的连接线过孔，将断开的数据线连接。其中，所述步骤S15包括在所述像素电极、源电极、漏电极、断开的数据线的连接线和沟道上形成钝化层；采用普通掩模板通过构图工艺形成包括穿过所述钝化层和所述栅绝缘层的公共电极过孔的图形。其中，所述钝化层包括无机层和有机层交替平铺的至少两层结构。其中，所述有机层采用光敏有机材料。其中，所述步骤S16包括在所述设置有公共电极过孔的钝化层上形成第二透明导电薄膜；采用普通掩模板通过构图工艺对所述第二透明导电薄膜进行处理，形成包括公共电极的图形，所述公共电极通过所述公共电极过孔与所述公共电极线连接。其中，所述公共电极为狭缝结构。本专利技术的实施例还提供一种透反式薄膜晶体管阵列基板，包括形成在衬底基板上的栅线、数据线、公共电极线、反射电极、像素电极、公共电极和薄膜晶体管，所述反射电极所在的区域为反射区域，所述反射电极和所述公共电极线之间的区域为透射区域，所述栅线、数据线与反射电极同层设置且所述栅线与所述数据线相互垂直，所述数据线在经过所述栅线区域处断开，在被同一条栅线断开的位于同一条直线上的数据线之间设置有数据线的连接线，所述数据线的连接线将断开的数据线连接。其中，所述栅线、数据线、反射电极上形成有栅绝缘层，所述栅绝缘层开设有数据线的连接线过孔，所述数据线的连接线通过所述数据线的连接线过孔连接断开的数据线。 其中，所述像素电极和所述公共电极之间还形成有钝化层。其中，所述钝化层包括无机层和有机层交替平铺的至少两层结构。其中，所述有机层采用光敏有机材料。其中，所述公共电极为狭缝结构。其中，上述阵列基板还包括穿过所述钝化层和所述栅绝缘层的公共电极过孔，所述公共电极通过所述公共电极过孔与所述公共电极线连接。本专利技术的实施例还提供一种显示装置，包括如上所述的透反式薄膜晶体管阵列基板。本专利技术的上述技术方案的有益效果如下上述方案中，在一次构图工艺中形成栅线、数据线、栅电极、公共电极线的同时形成反射电极，从而显著改善了强光下的显示效果以及反射区和透射区亮度不均的现象。附图说明图I为本专利技术的透反式薄膜晶体管阵列基板的制作方法的总体流程图；图2为图I所示的方法的第一次构图工艺完成后的剖面3为图I所示的方法的第二次构图工艺完成后的剖面4为图I所示的方法的第三次构图工艺完成后的剖面5为图I所示的方法的第四次构图工艺完成后的剖面6为图I所示的方法的第五次构图工艺完成后的剖面7为图I所示方法中形成的阵列基板对光的反射及透射情况示意图。具体实施例方式为使本专利技术要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。如图I所示，本专利技术的实施例提供一种透反式薄膜晶体管阵列基板的制作方法，包括以下步骤SI I，提供一衬底基板；S12，在衬底基板上形成金属薄膜，由构图工艺形成包括栅线、经过栅线区域处断开的数据线、栅电极、反射电极以及公共电极线的图形，其中，栅线和数据线垂直但不相交，栅线与栅电极连接，反射电极所在的区域为反射区域，反射电极和公共电极线之间的区域为透射区域；S13，在完成步骤S12的基板上形成栅绝缘层、半导体薄膜和掺杂半导体薄膜，由构图工艺形成包括图案化的栅绝缘层和位于栅绝缘层上的有源层的图形；S14，在完成步骤S13的基板上形成第一透明导电薄膜，由构图工艺形成包括像素电极、源电极、漏电极、断开的数据线的连接线和沟道的图形；S15，在完成步骤S14的基板上形成钝化层，由构图工艺形成包括公共电极过孔的图形；S16，在完成步骤S15的基板上形成第二透明导电薄膜，由构图工艺形成包括公共电极的图形，所述公共电极通过公共电极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种透反式薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S11，提供一衬底基板；S12，在所述衬底基板上形成金属薄膜，由构图工艺形成包括栅线、经过栅线区域处断开的数据线、栅电极、反射电极以及公共电极线的图形，其中，栅线和数据线垂直，栅线与栅电极连接，反射电极所在的区域为反射区域，反射电极和公共电极线之间的区域为透射区域；S13，在完成步骤S12的基板上形成栅绝缘层、半导体薄膜和掺杂半导体薄膜，由构图工艺形成包括图案化的栅绝缘层和位于栅绝缘层上的有源层的图形；S14，在完成步骤S13的基板上形成第一透明导电薄膜，由构图工艺形成包括像素电极、源电极、漏电极、断开的数据线的连接线和沟道的图形；S15，在完成步骤S14的基板上形成钝化层，由构图工艺形成包括公共电极过孔的图形；S16，在完成步骤S15的基板上形成第二透明导电薄膜，由构图工艺形成包括公共电极的图形，所述公共电极通过公共电极过孔与公共电极线连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孔祥春，刘圣烈，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：