显示装置、透反式薄膜晶体管阵列基板及其制作方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种显示装置、透反式薄膜晶体管阵列基板及其制作方法，制作方法包括：提供一衬底基板；在衬底基板上形成栅线、经过栅线区域处断开的数据线、栅电极、反射电极以及公共电极线，其中，栅线和数据线垂直，栅线与栅电极连接，反射电极所在的区域为反射区域，反射电极和公共电极线之间的区域为透射区域；在栅线、数据线、栅电极、反射电极以及公共电极线上形成图案化的栅绝缘层和位于栅绝缘层上的有源层；在图案化的栅绝缘层和有源层上形成像素电极、源电极、漏电极、断开的数据线的连接线和沟道；在像素电极、源电极和漏电极上形成钝化层及公共电极过孔；在钝化层上形成公共电极。本发明专利技术可以避免强光下的显示效果差的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，特别涉及一种。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显不器(ThinFilm Transistor-Liquid Crystal Display,简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场占了主导地位。当前制作透反式薄膜晶体管液晶显示面板的过程中，阵列基板中的反射电极是与像素电极在同一次构图工艺中一起形成的，这样的显示面板，会出现强光下的显示效果差，反射区和透射区亮度不均的现象。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种，可以避免强光下的显示效果差，反射区和透射区亮度不均的现象。为解决上述技术问题，本专利技术的实施例提供一种透反式薄膜晶体管阵列基板的制作方法，包括以下步骤SI I，提供一衬底基板；S12，在所述衬底基板上形成金属薄膜，由构图工艺形成包括栅线、经过栅线区域处断开的数据线、栅电极、反射电极以及公共电极线的图形，其中，栅线和数据线垂直，栅线与栅电极连接，反射电极所在的区域为反射区域，反射电极和公共电极线之间的区域为透射区域；S13，在完成步骤S12的基板上形成栅绝缘层、半导体薄膜和掺杂半导体薄膜，由构图工艺形成包括图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种透反式薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S11，提供一衬底基板；S12，在所述衬底基板上形成金属薄膜，由构图工艺形成包括栅线、经过栅线区域处断开的数据线、栅电极、反射电极以及公共电极线的图形，其中，栅线和数据线垂直，栅线与栅电极连接，反射电极所在的区域为反射区域，反射电极和公共电极线之间的区域为透射区域；S13，在完成步骤S12的基板上形成栅绝缘层、半导体薄膜和掺杂半导体薄膜，由构图工艺形成包括图案化的栅绝缘层和位于栅绝缘层上的有源层的图形；S14，在完成步骤S13的基板上形成第一透明导电薄膜，由构图工艺形成包括像素电极、源电极、漏电极、断开的数据线的连接线和沟道的图...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孔祥春，刘圣烈，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：