【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种锗硅HBT(异质结双极晶体管)和CMOS (互补金属氧化物半导体)器件集成的制造方法。本专利技术还涉及一种锗硅HBT和CMOS器件集成的器件结构。
技术介绍
SiGe (锗硅)HBT是超高频器件的良好选择，首先其利用SiGe与Si (硅)的能带差别，提高发射区的载流子注入效率，增大器件的电流放大倍数；其次利用SiGe外基区的高掺杂，降低基区电阻，提高特征频率；另外SiGe工艺基本与硅工艺相兼容，因此SiGe HBT已经成为超高频器件的主流之一。SiGe HBT的大量使用需要实现SiGe HBT和CMOS器件集成，而集成工艺的改进将会SiGe双极CMOS (BiCMOS)更具竞争力。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种锗硅HBT和CMOS器件集成的制造方法，能缩短工艺时间，使工艺简化并降低工艺成本，能减少器件的面积，提高集成度。为此，本专利技术还提供一种锗硅HBT和CMOS器件集成的器件结构。为解决上述技术问题，本专利技术提供的锗硅HBT和CMOS器件集成的制造方法用于在同一硅片上形成锗硅HBT和C...
【技术保护点】
一种锗硅HBT和CMOS器件集成的制造方法，用于在同一硅片上形成锗硅HBT和CMOS器件，所述CMOS器件包括NMOS管和PMOS管，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、采用光刻刻蚀工艺在所述硅片上形成浅沟槽，所述浅沟槽隔离出有源区；所述硅片上分成形成所述锗硅HBT的锗硅HBT区域、形成所述CMOS器件的CMOS器件区域，所述CMOS器件区域又分为形成NMOS管的NMOS管区域和形成PMOS管的PMOS管区域；步骤二、采用离子注入工艺在所述锗硅HBT区域和所述PMOS管区域的所述浅沟槽底部形成N型赝埋层，采用离子注入工艺在所述NMOS管区域的所述浅沟槽底部形成P型赝埋层；步骤...
【技术特征摘要】
1.一种锗硅HBT和CMOS器件集成的制造方法，用于在同一硅片上形成锗硅HBT和CMOS器件，所述CMOS器件包括NMOS管和PMOS管，其特征在于，包括如下步骤 步骤一、采用光刻刻蚀エ艺在所述硅片上形成浅沟槽，所述浅沟槽隔离出有源区；所述硅片上分成形成所述锗硅HBT的锗硅HBT区域、形成所述CMOS器件的CMOS器件区域，所述CMOS器件区域又分为形成NMOS管的NMOS管区域和形成PMOS管的PMOS管区域； 步骤ニ、采用离子注入エ艺在所述锗硅HBT区域和所述PMOS管区域的所述浅沟槽底部形成N型赝埋层，采用离子注入エ艺在所述NMOS管区域的所述浅沟槽底部形成P型赝埋层； 步骤三、在所述浅沟槽中填充ニ氧化硅形成浅槽场氧； 步骤四、采用离子注入エ艺在所述NMOS管区域的所述有源区中形成P阱，所述P阱的底部和所述P型赝埋层相连接；采用离子注入エ艺在所述PMOS管区域的所述有源区中形成N讲，所述N阱的底部和所述N型赝埋层相连接； 步骤五、在所述CMOS器件区域形成栅氧化层、第一多晶硅层和第二氧化层； 步骤六、采用N型离子注入エ艺在所述锗硅HBT区域的有源区中形成集电区，所述集电区的底部和所述N型赝埋层相连接； 步骤七、在所述锗硅HBT区域的所述有源区上形成基区，所述基区由P型锗硅外延层刻蚀后形成，所述基区和所述集电区相接触并延伸到所述有源区周侧的所述浅槽场氧上；步骤八、在形成所述基区之后的所述硅片表面依次形成发射区窗ロ隔离介质层和第三氮化娃层； 步骤九、采用光刻刻蚀エ艺对所述发射区窗ロ隔离介质层和所述第三氮化硅层进行刻蚀，所述CMOS器件区域的所述发射区窗ロ隔离介质层和所述第三氮化硅层都被去除，所述CMOS器件区域的所述第二氧化层也被去除从而将所述第一多晶硅层露出；所述锗硅HBT区域中的所述发射区窗ロ隔离介质层和所述第三氮化硅层部分被去除从而在所述基区上方形成ー发射区窗ロ，该发射区窗ロ将所述基区表面露出用于定义出后续形成的发射区和所述基区的接触区域，所述发射区窗ロ位于所述有源区的正上方且所述发射区窗ロ的横向尺寸小于等于所述有源区的横向尺寸； 步骤十、在形成所述发射区窗ロ之后的所述硅片表面淀积发射区多晶硅； 步骤十一、对位于所述锗硅HBT区域的用于形成发射区的所述发射区多晶硅进行掺杂...
【专利技术属性】
技术研发人员：段文婷，刘冬华，钱文生，胡君，石晶，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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