闪存的存储单元的形成方法技术

一种闪存的存储单元的形成方法，包括：提供位于半导体衬底表面的第一介质层、第一介质层表面的浮栅层、以及浮栅层表面的第二介质层；在第二介质层内形成相互贯通的第一开口和第二开口，第一开口的侧壁垂直于半导体衬底表面，第二开口的侧壁相对于半导体衬底表面具有第二角度；在第二开口底部的浮栅层内形成第三开口；在第三开口底部形成覆盖第一开口、第二开口和第三开口的侧壁第一侧墙；在第一侧墙之间的半导体衬底表面形成源线层和第二侧墙之后，去除第二介质层；再干法刻蚀第一侧墙和源线层两侧的浮栅层直至暴露出第一介质层为止；之后，在第一侧墙、浮栅层和源线层两侧的第一介质层表面形成字线层。所形成的闪存的存储单元性能提高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种。
技术介绍
在现有的集成电路中，存储器件已成为一种重要器件。在目前的存储器件中，闪存 (Flash Memory)的发展尤为迅速。闪存的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息；且具有集成度高、存取速度快、易于擦除和重写等优点，因而在微机、自动化控制等多项领域得到了广泛的应用。现有的闪存的存储单元如图1所示，包括半导体衬底10 ;位于所述半导体衬底 10表面的第一绝缘层11 ;覆盖部分第一绝缘层11表面的浮栅层12，所述第一绝缘层11和浮栅层12内具有暴露出半导体衬底10的开口(未标识)；位于所述浮栅层12顶部表面、且覆盖所述开口侧壁的侧墙13 ;位于所述开口底部的半导体衬底10表面、且覆盖所述侧墙13 部分表面的源线层14，所述源线层14的表面不高于所述侧墙13的顶部；位于第一绝缘层 11表面，且覆盖所述侧墙13未被源线层14覆盖一侧侧壁的字线层15，所述字线层15的顶部不高于所述侧墙13的顶部，且所述字线层15与浮栅层12之间通过第二绝缘层16相互隔离；位于所述源线层14下方的半导体衬底10内的源区(未标识)。其中，所述浮栅本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有第一介质层、位于第一介质层表面的浮栅层、以及位于浮栅层表面的第二介质层；在所述第二介质层内形成第一开口、以及与所述第一开口的底部贯通的第二开口，所述第一开口的侧壁垂直于半导体衬底表面，所述第二开口暴露出浮栅层表面，所述第二开口的顶部尺寸与所述第一开口的底部尺寸相同，所述第二开口的侧壁相对于半导体衬底表面具有第二角度，且所述第二开口的顶部尺寸大于所述第二开口的底部尺寸；以所述第二介质层为掩膜，采用各向同性的刻蚀工艺刻蚀所述第二开口底部的部分厚度的浮栅层，在所述浮栅层内形成第三开口；在所述第三开口底部的部分浮栅层...

【技术特征摘要】
1.一种闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，包括 提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有第一介质层、位于第一介质层表面的浮栅层、以及位于浮栅层表面的第二介质层； 在所述第二介质层内形成第一开口、以及与所述第一开口的底部贯通的第二开口，所述第一开口的侧壁垂直于半导体衬底表面，所述第二开口暴露出浮栅层表面，所述第二开口的顶部尺寸与所述第一开口的底部尺寸相同，所述第二开口的侧壁相对于半导体衬底表面具有第二角度，且所述第二开口的顶部尺寸大于所述第二开口的底部尺寸； 以所述第二介质层为掩膜，采用各向同性的刻蚀工艺刻蚀所述第二开口底部的部分厚度的浮栅层，在所述浮栅层内形成第三开口 ； 在所述第三开口底部的部分浮栅层表面形成覆盖所述第一开口、第二开口和第三开口的侧壁的第一侧墙； 以所述第一侧墙和第二介质层为掩膜，采用各项异性的干法刻蚀工艺刻蚀所述浮栅层和第一介质层直至暴露出半导体衬底为止，形成第四开口，并在所述第四开口的侧壁表面形成第二侧墙； 在所述第四开口底部的部分半导体衬底表面形成覆盖所述第二侧墙和部分第一侧墙表面的源线层，所述源线层的表面不高于所述第一侧墙的顶部，所述源线层表面具有掩膜层； 在形成所述源线层和掩膜层之后，去除所述第二介质层，并以所述第一侧墙和掩膜层为掩膜，采用各向异性的干法刻蚀工艺刻蚀所述浮栅层，直至暴露出第一介质层为止； 在刻蚀所述浮栅层之后，在所述第一介质层表面形成字线层，所述字线层覆盖所述第一侧墙未被源线层覆盖一侧的部分侧壁表面，且所述字线层低于所述第一侧墙的顶部。2.如权利要求1所述闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，所述第一开口的深度大于O埃，小于等于500埃。3.如权利要求1所述闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，还包括所述第一开口的侧壁相对于半导体衬底表面具有第一角度，且所述第一开口的顶部尺寸大于或等于底部尺寸。4.如权利要求3所述闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：奚裴，张振兴，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：