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一种闪存的存储单元的形成方法，包括：提供位于半导体衬底表面的第一介质层、第一介质层表面的浮栅层、以及浮栅层表面的第二介质层；在第二介质层内形成相互贯通的第一开口和第二开口，第一开口的侧壁垂直于半导体衬底表面，第二开口的侧壁相对于半导体衬底表...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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