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本发明公开了一种锗硅HBT和CMOS器件集成的制造方法，锗硅HBT的发射区和CMOS器件的多晶硅栅同时刻蚀形成，且CMOS器件的多晶硅栅的位于顶层的多晶硅也采用和锗硅HBT的发射区多晶硅相同工艺且同时形成，这样本发明方法能够实现将锗硅HBT...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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