一种CMOS基准电压源电路和集成电路装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种CMOS基准电压源电路和集成电路装置，该电路包括：直流电源，分别连接于启动电路、启动电流获取电路和基准电压产生电路；启动电路、启动电流获取电路和基准电压产生电路依次连接、且电源抑制比逐级增大；启动电路，被配置为当直流电源接通时正常启动，并对产生的电流进行一次整流处理，得到启动电流；启动电流获取电路，被配置为获取启动电流并进行二次整流处理，得到基准电流；基准电压产生电路，被配置为获取基准电流并进行三次整流处理后，获取所需基准电压。本发明专利技术的方案，可以克服现有技术中功能少、抗干扰性差和适用范围小等缺陷，实现功能多、抗干扰能力强和适用范围大的有益效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子电路
，具体地，涉及一种CMOS基准电压源电路和集成电 路装置，尤其涉及一种电源独立、低压高PSRR(Power Supply Rejection Ratio,电源抑制 比）的CMOS基准电压源电路(即参考电压产生电路)和具有其的集成电路装置。
技术介绍
混合集成电路是将一个电路中所有元件的功能集中在一个基片上，装配空隙和焊 点少。混合集成电路在手提式装置(例如：智能手机、手提电脑和平板电脑等)方面的广泛应 用，需要集成电路能够在刚好超过M0S管的门槛电压工作，一个核心的设计部分就是参考电 压能够在IV低电压的条件下工作，同时能够对供应电压的变化有很强的抗干扰性。 如图1所示的电路中，门槛参考电压设计已不再适合低电压设计，因为此电路设计 要求两个Vgs(即M0S管栅极和源极间之间的电压）的电压降，并且对于供应电压的变化也缺 乏足够的抵抗性。 如图2所示的电路中，门槛参考电压设计已经克服了图1所示电路中要求两个Vgs 的电压降，只需一个Vgs，但此电路没有合适的开启电路，并且对电源的变化，也没有表现特 另搞的抵抗性。如图2所示，当电源供应开始时，NM0S管(此和仏)和PM0S管(Pi、P 2and P3)门电 压，没有明确的开启顺序，不适合真正的工业应用。 现有技术中，存在功能少、抗干扰性差和适用范围小等缺陷。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，针对上述缺陷，提出一种CMOS基准电压源电路和集成电路装 置，以提高基准电压源的抗干扰性。 本专利技术一方面提供一种CMOS基准电压源电路，包括:直流电源、启动电路、启动电 流获取电路和基准电压产生电路，其中，所述直流电源，分别连接于所述启动电路、启动电 流获取电路和基准电压产生电路;所述启动电路、启动电流获取电路和基准电压产生电路 依次连接、且电源抑制比逐级增大;所述启动电路，被配置为当所述直流电源接通时正常启 动，并对产生的电流进行一次整流处理，得到启动电流;所述启动电流获取电路，被配置为 获取所述启动电流并进行二次整流处理，得到基准电流;所述基准电压产生电路，被配置为 获取所述基准电流并进行三次整流处理后，获取所需基准电压。 优选地，所述启动电路，包括:相连的启动模块和第一整流模块。 优选地，所述启动电流获取电路，包括:相连的第一开关模块和第二整流模块。 优选地，所述基准电压产生电路，包括:相连的第二开关模块和第三整流模块。 优选地，所述第一整流模块、第二整流模块和第三整流模块的结构相同、且电源抑 制比逐级增大。 优选地，所述第一整流模块，包括：第一PM0S管、第二PM0S管、第一匪0S管、第二 匪0S管和第一上拉电阻；其中，所述第一PM0S管的栅极，分别与第二PM0S管的栅极、第二 PMOS管的漏极、以及第二匪OS管的漏极连接;第一 PMOS管的源极，分别与直流电源、启动模 块的第一连接端、以及第二PM0S管的源极连接;第一 PM0S管的漏极，分别与第一上拉电阻的 第一连接端、以及第一 NM0S管的栅极连接;所述第一 NM0S管的漏极，分别与启动模块的第二 连接端、以及第二NM0S管的栅极连接;所述第一上拉电阻的第二连接端、第一匪0S管的源 极、以及第二NM0S管的源极均接地。 优选地，所述启动模块，包括：启动电阻，所述启动电阻的阻值小于第一上拉电阻 的阻值。 优选地，所述第一开关模块，包括:第一PM0S开关管;其中，所述第一PM0S开关管的 栅极，连接于前一级整流模块中两个PM0S管的栅极;第一 PM0S开关管的源极，连接于直流电 源;第一 PM0S开关管的漏极，分别连接于本级整流模块中第一匪0S管的漏极和第二匪0S管 的栅极;所述第一开关模块和所述第二开关模块的结构相同。 优选地，所述直流电源(VDD)为IV直流电源。 与上述CMOS基准电压源电路相匹配，本专利技术另一方面提供一种集成电路装置，包 括：以上所述的CMOS基准电压源电路。 本专利技术的方案，通过启动电路使CMOS基准电压源电路能在各种条件下的正常启 动，通过获取正常启动后的启动电流并进行整流，从而获得稳定的不受电源供应影响的基 准电压(即参考电压V B3)。 进一步，本专利技术的方案，能实现95dB的电源变化抗干扰性，比起图2所示电路的 70dB的抗干扰性，高25dB;并且本专利技术方案中的开启电路保证了电路能在IV电源的各种复 杂条件中正常工作。 由此，本专利技术的方案解决利用启动电路逐级整流处理，更稳定地获取基准电压源， 提升抗干扰性能、减小受电源供应影响程度的问题，从而，克服现有技术中功能少、抗干扰 性差和适用范围小的缺陷，实现功能多、抗干扰能力强和适用范围大的有益效果。 本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变 得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。 下面通过附图和实施例，对本专利技术的技术方案做进一步的详细描述。【附图说明】附图用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本专利技术的实 施例一起用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的限制。在附图中：图1为现有技术中一电路的结构示意图；图2为现有技术中另一电路的结构不意图； 图3为本专利技术的CMOS基准电压源电路的一实施例的结构示意图； 图4为本专利技术的低压参考电路的一优选实施例的结构示意图； 图5为本专利技术的低压参考电路的直流（DC)分析图，其中，一坐标为直流电源VDD (Supply Voltage Vdd)，另一坐标为基准电压源(Voltage); 图6为本专利技术的低压参考电路的交流（AC)分析图，其中，一坐标为频率 (Frequency)，另一坐标为电源变化抑止能力(Magnitude)。 结合附图，本专利技术实施例中附图标记如下： 100-启动电路;200-启动电流获取电路;300-基准电压(VB3)产生电路。【具体实施方式】 为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术具体实施例及 相应的附图对本专利技术技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本专利技术一 部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做 出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。 根据本专利技术的实施例，提供了一种CMOS基准电压源电路。该CMOS基准电压源电路 包括:直流电源V DD、启动电路100、启动电流获取电路200和基准电压产生电路300,其中，所 述直流电源VDD，分别连接于所述启动电路100、启动电流获取电路200和基准电压产生电路 300;所述启动电路100、启动电流获取电路200和基准电压产生电路300依次连接、且电源抑 制比（PSRR)逐级增大。所述启动电路100,被配置为当所述直流电源V DD接通时正常启动，并 对产生的电流进行一次整流处理，得到启动电流;所述启动电流获取电路200,被配置为获 取所述启动电流并进行二次整流处理，得到基准电流;所述基准电压产生电路300,被配置 为获取所述基准电流并进行三次整流处理后，获取所需基准电压V B3。通过启动电路可以在 各种条件下进行正常启动，并对正常启动后的启动电流进行整流处理，获得稳定的不受电 源供应影响的基准电压，启动可靠性高，获取的基准电压抗干扰能力强。其中，电源抑本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种CMOS基准电压源电路，其特征在于，包括：直流电源(VDD)、启动电路(100)、启动电流获取电路(200)和基准电压产生电路(300)，其中，所述直流电源(VDD)，分别连接于所述启动电路(100)、启动电流获取电路(200)和基准电压产生电路(300)；所述启动电路(100)、启动电流获取电路(200)和基准电压产生电路(300)依次连接、且电源抑制比(PSRR)逐级增大；所述启动电路(100)，被配置为当所述直流电源(VDD)接通时正常启动，并对产生的电流进行一次整流处理，得到启动电流；所述启动电流获取电路(200)，被配置为获取所述启动电流并进行二次整流处理，得到基准电流；所述基准电压产生电路(300)，被配置为获取所述基准电流并进行三次整流处理后，获取所需基准电压(VB3)。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨文解，
申请(专利权)人：珠海格力电器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44