电流镜电路制造技术

本发明专利技术公开了一种电流镜电路，包括：主体电路、电流比较器和电流充电通路；主体电路包括互为镜像的第一和第二PMOS管；电流比较器对第一PMOS管的镜像电流和第二电流源进行比较；电流充电通路连接在电源电压和第二PMOS管的栅极之间；在开关由断开状态切换到导通状态时，电流比较器的输出信号进行状态改变并使电流充电通路由断开状态切换到导通状态，通过导通的电流充电通路使第二PMOS管的栅极的电压升高，提高第二PMOS管的栅极电压的恢复速度，从而能提高电路的稳定时间。

【技术实现步骤摘要】
电流镜电路
本专利技术涉及一种半导体集成电路制造，特别是涉及一种电流镜电路。
技术介绍
电流镜电路在集成电路中被广泛应用,某些应用需要开关控制是否使用。如图1所示，是现有电流镜电路图；现有电流镜电路包括互为镜像的第一PMOS管MP1和第二PMOS管MP2，所述第一PMOS管MP1的源极和所述第二PMOS管MP2的源极连接电源电压；所述第一PMOS管MP1的漏极和栅极连接所述第二PMOS管MP2的栅极；所述第一PMOS管MP1的漏极连接电流源IB1；所述第二PMOS管MP2的漏极通过开关SW输出镜像电流源到其它电路模块(OtherBlock)1。开关SW闭合时，由于第二PMOS管MP2的栅极(Gate)和漏极(Drain)之间存在寄生电容，节点PB突然下拉，需要的恢复时间较长。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种电流镜电路，能在输出开关切换时缩短稳定时间。为解决上述技术问题，本专利技术提供的电流镜电路，包括：主体电路、电流比较器和电流充电通路。所述主体电路包括互为镜像的第一PMOS管和第二PMOS管，所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极连接电源电压；所述第一PMOS管的漏极和栅极连接所述第二PMOS管的栅极；所述第一PMOS管的漏极连接第一电流源；所述第二PMOS管的漏极通过开关输出镜像电流。所述电流比较器包括所述第一PMOS管的镜像电流和第二电流源并对所述第一PMOS管的镜像电流和所述第二电流源的电流进行比较。所述电流充电通路连接在所述电源电压和所述第二PMOS管的栅极之间。在所述开关由断开状态切换到导通状态时，所述电流比较器的输出信号进行状态改变并使所述电流充电通路由断开状态切换到导通状态，通过导通的所述电流充电通路使所述第二PMOS管的栅极的电压升高，提高所述第二PMOS管的栅极电压的恢复速度。进一步的改进是，所述电流比较器包括的所述第一PMOS管的镜像电流由第三PMOS管输出，所述第三PMOS管的源极接电源电压，所述第三PMOS管的栅极连接所述第二PMOS管的栅极，所述第三PMOS管的漏极输出所述第一PMOS管的镜像电流，所述第三PMOS管的漏极和所述第二电流源连接且从该连接位置处输出所述电流比较器的输出信号。进一步的改进是，所述电流充电通路包括第四PMOS管和第一NMOS管。所述第四PMOS管的源极连接电源电压，所述第四PMOS管的栅极连接所述第二PMOS管的栅极；所述第四PMOS管的漏极连接所述第一NMOS管的漏极。所述第一NMOS管的源极连接所述第二PMOS管的栅极；所述第一NMOS管的栅极连接所述电流比较器的输出信号。所述开关为断开状态时，所述第二电流源的电流设置为大于所述第三PMOS管的漏极输出的所述第一PMOS管的镜像电流从而使所述电流比较器的输出信号为低电平，该低电平使所述第一NMOS管断开。在所述开关由断开状态切换到导通状态时，所述第三PMOS管的栅极电压降低并使所述第三PMOS管的漏极输出的所述第一PMOS管的镜像电流大于所述第二电流源的电流从而使所述电流比较器的输出信号为高电平，该高电平使所述第一NMOS管导通从而使所述电流充电通路由断开状态切换到导通状态。进一步的改进是，所述第一NMOS管采用NativeNMOS管。本专利技术通过电流比较器和电流充电通路的设置，电流比较器能够在开关由断开状态切换到导通状态时检测到主体电路的第一PMOS管的镜像电流的变化，从而输出一个控制信号使电流充电通路导通，通过导通的电流充电通路使主体电路的第二PMOS管的栅极的电压升高，提高第二PMOS管的栅极电压的恢复速度，从而能缩短电路的稳定时间。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明：图1是现有电流镜电路图；图2是本专利技术较佳实施例电流镜电路。具体实施方式本专利技术实施例电流镜电路包括：主体电路、电流比较器和电流充电通路。所述主体电路包括互为镜像的第一PMOS管和第二PMOS管，所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极连接电源电压；所述第一PMOS管的漏极和栅极连接所述第二PMOS管的栅极；所述第一PMOS管的漏极连接第一电流源；所述第二PMOS管的漏极通过开关输出镜像电流。所述电流比较器包括所述第一PMOS管的镜像电流和第二电流源并对所述第一PMOS管的镜像电流和所述第二电流源的电流进行比较。所述电流充电通路连接在所述电源电压和所述第二PMOS管的栅极之间；在所述开关由断开状态切换到导通状态时，所述电流比较器的输出信号进行状态改变并使所述电流充电通路由断开状态切换到导通状态，通过导通的所述电流充电通路使所述第二PMOS管的栅极的电压升高，提高所述第二PMOS管的栅极电压的恢复速度。如图2所示，本专利技术较佳实施例电流镜电路包括：主体电路、电流比较器和电流充电通路。所述主体电路包括互为镜像的第一PMOS管MP1和第二PMOS管MP2，所述第一PMOS管MP1的源极和所述第二PMOS管MP2的源极连接电源电压VDDA；所述第一PMOS管MP1的漏极和栅极连接所述第二PMOS管MP2的栅极；所述第一PMOS管MP1的漏极连接第一电流源IB1；所述第二PMOS管MP2的漏极通过开关SW输出镜像电流源。所述电流比较器包括所述第一PMOS管MP1的镜像电流和第二电流源IB2并对所述第一PMOS管MP1的镜像电流和所述第二电流源IB2进行比较。所述电流充电通路连接在所述电源电压VDDA和所述第二PMOS管MP2的栅极之间。在所述开关SW由断开状态切换到导通状态时，所述电流比较器的输出信号DET进行状态改变并使所述电流充电通路由断开状态切换到导通状态，通过导通的所述电流充电通路使所述第二PMOS管MP2的栅极的电压升高，提高所述第二PMOS管MP2的栅极电压的恢复速度。本专利技术较佳实施例中，所述电流比较器包括的所述第一PMOS管MP1的镜像电流由第三PMOS管MP3输出，所述第三PMOS管MP3的源极接电源电压VDDA，所述第三PMOS管MP3的栅极连接所述第二PMOS管MP2的栅极，所述第三PMOS管MP3的漏极输出所述第一PMOS管MP1的镜像电流，所述第三PMOS管MP3的漏极和所述第二电流源IB2连接且从该连接位置处输出所述电流比较器的输出信号DET。所述电流充电通路包括第四PMOS管MP4和第一NMOS管MN1。较佳为，所述第一NMOS管MN1采用NativeNMOS管，NativeNMOS管为实际阈值电压接近为零的NMOS管管。所述第四PMOS管MP4的源极连接电源电压VDDA，所述第四PMOS管MP4的栅极连接所述第二PMOS管MP2的栅极；所述第四PMOS管MP4的漏极连接所述第一NMOS管MN1的漏极。所述第一NMOS管MN1的源极连接所述第二PMOS管MP2的栅极；所述第一NMOS管MN1的栅极连接所述电流比较器的输出信号DET。所述开关SW为断开状态时，所述第二电流源IB2的电流设置为大于所述第三PMOS管MP3的漏极输出的所述第一PMOS管MP1的镜像电流从而使所述电流比较器的输出信号DET为低电平，该低电平使所述第一NMOS管MN1断开；在所述开关SW由断开状态切换到导通状态时，所述第三PMOS管MP3的栅极电压降低并使所述第三PMOS管M本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电流镜电路，其特征在于,包括：主体电路、电流比较器和电流充电通路；所述主体电路包括互为镜像的第一PMOS管和第二PMOS管，所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极连接电源电压；所述第一PMOS管的漏极和栅极连接所述第二PMOS管的栅极；所述第一PMOS管的漏极连接第一电流源；所述第二PMOS管的漏极通过开关输出镜像电流源；所述电流比较器包括所述第一PMOS管的镜像电流和第二电流源并对所述第一PMOS管的镜像电流和所述第二电流源进行比较；所述电流充电通路连接在所述电源电压和所述第二PMOS管的栅极之间；在所述开关由断开状态切换到导通状态时，所述电流比较器的输出信号进行状态改变并使所述电流充电通路由断开状态切换到导通状态，通过导通的所述电流充电通路使所述第二PMOS管的栅极的电压升高，提高所述第二PMOS管的栅极电压的恢复速度。

【技术特征摘要】
1.一种电流镜电路，其特征在于,包括：主体电路、电流比较器和电流充电通路；所述主体电路包括互为镜像的第一PMOS管和第二PMOS管，所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极连接电源电压；所述第一PMOS管的漏极和栅极连接所述第二PMOS管的栅极；所述第一PMOS管的漏极连接第一电流源；所述第二PMOS管的漏极通过开关输出镜像电流；所述电流比较器包括所述第一PMOS管的镜像电流和第二电流源并对所述第一PMOS管的镜像电流和所述第二电流源的电流进行比较；所述电流充电通路连接在所述电源电压和所述第二PMOS管的栅极之间；在所述开关由断开状态切换到导通状态时，所述电流比较器的输出信号进行状态改变并使所述电流充电通路由断开状态切换到导通状态，通过导通的所述电流充电通路使所述第二PMOS管的栅极的电压升高，提高所述第二PMOS管的栅极电压的恢复速度；所述电流比较器包括的所述第一PMOS管的镜像电流由第三PMOS管输出，所述第三PMOS管的源极接电源电压，所述第三PMOS管的栅极连接所述第二PMOS管的栅极，所述第三PMOS管的...

【专利技术属性】
技术研发人员：邵博闻，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31