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本发明公开了一种基于绝缘体上硅材料的双极型高压CMOS单多晶硅填充深沟道器件隔离工艺，应用于基于SOI材料制作BCD集成器件的BCD工艺中，主要包括：制备硅的局部氧化区步骤；形成深沟道区域步骤；形成BCD栅氧化层步骤；沉积栅极多晶硅步骤；形...
该专利属于上海新储集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海新储集成电路有限公司授权不得商用。

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