TFT阵列基板制作方法及TFT阵列基板、显示设备技术

本发明专利技术公开了一种TFT阵列基板制作方法及TFT阵列基板、显示设备，涉及液晶显示技术，在进行栅极层、栅绝缘层、有源层的图案制作时，依次沉积栅极层材料、栅绝缘层材料、有源层材料，通过一次构图实现栅极层、栅绝缘层、有源层的制作，节省了至少一次掩膜，降低了工艺流程复杂度。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种TFT阵列基板制作方法及TFT阵列基板、显示设备，涉及液晶显示技术，在进行栅极层、栅绝缘层、有源层的图案制作时，依次沉积栅极层材料、栅绝缘层材料、有源层材料，通过一次构图实现栅极层、栅绝缘层、有源层的制作，节省了至少一次掩膜，降低了工艺流程复杂度。【专利说明】TFT阵列基板制作方法及TFT阵列基板、显示设备
本专利技术涉及液晶显示技术，尤其涉及一种TFT阵列基板制作方法及TFT阵列基板、显示设备。
技术介绍
TFT-LCD (Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶体管液晶显示)是目前唯一在亮度、对比度、功耗、寿命、体积和重量等综合性能上全面赶上和超过CRT(Cathode Ray Tube)的显示器件，发展多年来受到人们的广泛关注，同时对性能也提出了越来越高的要求。目前高分辨率，低功耗TFT-LCD产品成为发展的重点和研发的热点。但是，目前在进行TFT阵列基板制作时，通常是首先通过一次掩膜形成栅极层图案，再通过一次掩膜形成有源层图案，掩膜次数较多，其工艺流程较复杂。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种TFT阵列基板制作方法及TFT阵列基板、显示设备，以降低工艺流程复杂度。本专利技术实施例提供的一种TFT阵列基板制作方法，包括:在基板上依次沉积栅极层材料、栅绝缘层材料、有源层材料；通过一次构图，形成栅极层和有源层，并保留有源层区域的掩膜图案；再次沉积栅绝缘层材料；剥离剩余的掩膜图案。通过一次构图实现栅极层、栅绝缘层、有源层的制作，节省了至少一次掩膜，降低了工艺流程复杂度。进一步，所述通过一次构图，形成栅极层图案和有源层图案，并保留有源层区域的掩膜图案，具体包括:通过半色调或灰阶掩模工艺形成栅极层和有源层，其中，有源层区域下方保留有栅绝缘层材料，有源层区域上方保留有掩膜图案。为进一步减少掩膜次数，剥离剩余的掩膜图案后，还包括:沉积氧化铟锡层，并通过一次构图，形成像素电极和栅绝缘层过孔。较佳的，对暴露出的氧化铟锡进行刻蚀，形成像素电极后，还包括:形成源漏金属层图案、钝化层以及公共电极。较佳的，所述栅极层材料具体为:钥金属、钥合金、招金属、招合金、铜金属、铜合金、铬金属或铬合金。进一步，所述有源层包括:非晶硅层和欧姆接触层。较佳的，所述氧化铟锡层的厚度为400-600人。较佳的，所述形成源漏金属层图案，具体包括:沉积源漏金属层；掩膜后，进行湿法刻蚀和欧姆接触层刻蚀，形成源漏金属层图案。本专利技术实施例还提供一种TFT阵列基板，包括:基板、设置在基板上的栅极层、设置在栅极层上的栅绝缘层以及设置在所述栅绝缘层上的有源层，其中:所述栅绝缘层位于有源层下方的区域和所述栅绝缘层的其它区域是通过两次沉积形成的。进一步地，所述栅绝缘层通过两次沉积形成包括:通过一次半色调或灰阶掩模工艺形成栅极层和有源层，其中，有源层区域下方保留有栅绝缘层材料，有源层区域上方保留有掩膜图案；然后再次沉积栅绝缘层材料，剥离剩余的掩膜图案。由于栅绝缘层位于有源层下方的区域和所述栅绝缘层的其它区域是通过两次沉积形成的，使得栅极层和有源层可以通过一次构图形成，节省了至少一次掩膜，减小了工艺复杂度。进一步，TFT阵列基板还包括:设置在有源层及栅绝缘层上的像素电极，以及设置在栅极层上的栅绝缘层过孔，其中，所述像素电极和所述栅绝缘层过孔通过一次构图形成。进一步，TFT阵列基板还包括:源漏金属层图案、钝化层以及公共电极。较佳的，所述栅极层材料具体为:钥金属、钥合金、招金属、招合金、铜金属、铜合金、铬金属或铬合金。进一步，所述有源层包括:非晶硅层和欧姆接触层。较佳的，所述氧化铟锡层的厚度为400-600人。本专利技术实施例还提供一种显示设备，包括上述TFT阵列基板。本专利技术实施例提供一种TFT阵列基板制作方法及TFT阵列基板、显示设备，在进行栅极层、栅绝缘层、有源层的图案制作时，依次沉积栅极层材料、栅绝缘层材料、有源层材料，通过一次构图实现栅极层、栅绝缘层、有源层的制作，节省了至少一次掩膜，降低了工艺流程复杂度。【专利附图】【附图说明】图1为本专利技术实施例提供的TFT阵列基板制作方法流程图之一；图2为本专利技术实施例提供的制作栅极层图案和有源层图案过程中，进行半色调掩膜后的TFT阵列基板结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的制作栅极层图案和有源层图案过程中，进行第一次刻蚀后的TFT阵列基板结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的制作栅极层图案和有源层图案过程中，进行第二次刻蚀后的TFT阵列基板结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的制作栅极层图案和有源层图案过程中，再次进行栅绝缘层材料沉积后的TFT阵列基板结构示意图；图6为本专利技术实施例提供的制作栅极层图案和有源层图案过程中，进行掩膜图案剥离后的TFT阵列基板结构示意图；图7为本专利技术实施例提供的TFT阵列基板制作方法流程图之二 ；图8为本专利技术实施例提供的制作像素电极和栅绝缘层过孔的过程中，进行半色调掩膜后的TFT阵列基板结构示意图；图9为本专利技术实施例提供的制作像素电极和栅绝缘层过孔的过程中，进行灰化处理后的TFT阵列基板结构不意图；图10为本专利技术实施例提供的制作像素电极和栅绝缘层过孔的过程中，进行掩膜图案剥离后的TFT阵列基板结构示意图；图11为本专利技术实施例提供的形成源漏金属层图案后的TFT阵列基板结构示意图；图12为本专利技术实施例提供的形成钝化层和公共电极后的TFT阵列基板结构示意图。【具体实施方式】本专利技术实施例提供一种TFT阵列基板制作方法及TFT阵列基板、显示设备，在进行栅极层、栅绝缘层、有源层的图案制作时，依次沉积栅极层材料、栅绝缘层材料、有源层材料，通过一次构图实现栅极层、栅绝缘层、有源层的制作，节省了至少一次掩膜，降低了工艺流程复杂度。如图1所示，本专利技术实施例提供一种TFT阵列基板制作方法，包括:步骤S101、在基板上依次沉积栅极层材料、栅绝缘层材料、有源层材料；步骤S102、通过一次构图，形成栅极层和有源层，并保留有源层区域的掩膜图案；步骤S103、再次沉积栅绝缘层材料；步骤S104、剥离剩余的掩膜图案。其中，有源层包括非晶硅层和欧姆接触层，可以依次沉积非晶硅层材料和欧姆接触层材料，实现有源层材料的沉积，栅极层材料可以具体采用钥金属、钥合金、铝金属、铝合金、铜金属、铜合金、铬金属或铬合金。通过上述步骤，即可实现一次掩膜完成栅极层图案和有源层图案的制作。步骤S102中，可以通过半色调或灰阶掩模工艺形成栅极和有源层，其中，有源层区域下方保留有栅绝缘层材料，有源层区域上方保留有掩膜图案。具体的，首先进行半色调掩膜，掩膜图案为:有源层区域不透光，栅极区域部分透光，其它区域全透光，进行刻蚀后对所述掩膜图案进行灰化处理；将暴露出的有源层材料及栅绝缘层材料刻蚀掉后，即形成了栅极层和有源层，且有源层区域下方保留有栅绝缘层材料，有源层区域上方保留有掩膜图案。如图2所示，在基板I上依次沉积栅极层2、栅绝缘层3、非晶硅层4、欧姆接触层5后，再进行半色调掩膜，掩膜图案6在有源层区域不透光、栅极区域部分透光、其它区域全透光，部分透光的区域的掩膜厚度小于不透光的区域的掩膜厚度。对透光区域进行刻蚀，形成如图3所示的结构，然后对掩膜图案6进行灰化处理，使得非有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TFT阵列基板制作方法，其特征在于，包括：在基板上依次沉积栅极层材料、栅绝缘层材料、有源层材料；通过一次构图，形成栅极层和有源层，并保留有源层区域的掩膜图案；再次沉积栅绝缘层材料；剥离剩余的掩膜图案。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：姜晓辉，张家祥，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：