【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种TFT阵列基板制作方法及TFT阵列基板、显示设备，涉及液晶显示技术，在进行栅极层、栅绝缘层、有源层的图案制作时，依次沉积栅极层材料、栅绝缘层材料、有源层材料，通过一次构图实现栅极层、栅绝缘层、有源层的制作，节省了至少一次掩膜，降低了工艺流程复杂度。【专利说明】TFT阵列基板制作方法及TFT阵列基板、显示设备
本专利技术涉及液晶显示技术，尤其涉及一种TFT阵列基板制作方法及TFT阵列基板、显示设备。
技术介绍
TFT-LCD (Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶体管液晶显示)是目前唯一在亮度、对比度、功耗、寿命、体积和重量等综合性能上全面赶上和超过CRT(Cathode Ray Tube)的显示器件，发展多年来受到人们的广泛关注，同时对性能也提出了越来越高的要求。目前高分辨率，低功耗TFT-LCD产品成为发展的重点和研发的热点。但是，目前在进行TFT阵列基板制作时，通常是首先通过一次掩膜形成栅极层图案，再通过一次掩膜形成有源层图案，掩膜次数较多，其工艺流程较复杂。【专...
【技术保护点】
一种TFT阵列基板制作方法，其特征在于，包括：在基板上依次沉积栅极层材料、栅绝缘层材料、有源层材料；通过一次构图，形成栅极层和有源层，并保留有源层区域的掩膜图案；再次沉积栅绝缘层材料；剥离剩余的掩膜图案。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：姜晓辉，张家祥，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。