本发明专利技术提供一种薄膜晶体管基板的制造方法及用该方法制造的薄膜晶体管基板，所述方法包括：步骤1、提供基片（20）；步骤2、在基片（20）上形成预定结构的栅极（22）；步骤3、在栅极（22）与基片（20）上形成栅极绝缘层（24）；步骤4、在栅极绝缘层（24）上形成预定结构的金属信号线（26）；步骤5、在栅极绝缘层（24）上形成预定结构的氧化物半导体层（28）；步骤6、在栅极绝缘层（24）、金属信号线（26）、氧化物半导体层（28）上形成预定结构的钝化层（32）；步骤7、在所述金属信号线（26）、氧化物半导体层（28）、钝化层（32）上形成预定结构的源/漏极（34），以形成薄膜晶体管基板。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种薄膜晶体管基板的制造方法及用该方法制造的薄膜晶体管基板，所述方法包括：步骤1、提供基片（20）；步骤2、在基片（20）上形成预定结构的栅极（22）；步骤3、在栅极（22）与基片（20）上形成栅极绝缘层（24）；步骤4、在栅极绝缘层（24）上形成预定结构的金属信号线（26）；步骤5、在栅极绝缘层（24）上形成预定结构的氧化物半导体层（28）；步骤6、在栅极绝缘层（24）、金属信号线（26）、氧化物半导体层（28）上形成预定结构的钝化层（32）；步骤7、在所述金属信号线（26）、氧化物半导体层（28）、钝化层（32）上形成预定结构的源/漏极（34），以形成薄膜晶体管基板。【专利说明】薄膜晶体管基板的制造方法及用该方法制造的薄膜晶体管基板
本专利技术涉及液晶显示领域，尤其涉及一种薄膜晶体管基板的制造方法及用该方法制造的薄膜晶体管基板。
技术介绍
薄膜晶体管(TFT)在电子装置中被广泛地作为开关装置和驱动装置使用。具体地，因为薄膜晶体管可形成在玻璃基片或塑料基片上，所以它们通常用在诸如液晶显示装置(IXD)、有机发光显示装置(0LED)、电泳显示装置(EPD)等平板显示装置领域。氧化物半导体由于具有较高的电子迁移率(氧化物半导体迁移率>10cm2/Vs，a_Si迁移率仅0.5~0.8cm2/Vs),而且相比低温多晶硅(LTPS)，氧化物半导体制程简单，与a_Si制程相容性较高，可以应用于液晶显示装置(LCD)、有机发光显示装置(0LED)、柔性显示(Flexible)等领域，且与高世代生产线兼容，可应用于大中小尺寸显示，具有良好的应用发展前景，为当前业界研究热门。当前对氧化物半导体的研究，以铟镓锌氧化物(InGaZnO，IGZ0)半导体最为成熟。薄膜晶体管基板包括薄膜晶体管和像素电极。现有的氧化物半导体薄膜晶体管基板，如图1所示，在氧化物半导体层100制作完成后，需制作金属源/漏(Source/Drain)电极200，金属源/漏(Source/Drain)电极200的湿蚀刻制程通常使用强酸及其混合物(如HN03/H3P04/CH3C00H等)易造成背沟道(Back channel etching, BCE)处氧化物半导体层破坏，若使用干蚀刻制程，则存在蚀刻均一性较差的问题。为解决之一问题，现有技术通常在氧化物半导体层100形成后及金属源/漏电极200形成前，制作一层刻蚀阻挡层(ESL)300，用于保护背沟道处的氧化物半导体层，避免其在金属源/漏电极200蚀刻等制程中遭破坏，但额外制作一层刻蚀阻挡层需额外增加一道光刻制程，一道光刻制程包括成膜、曝光、显影、蚀刻、剥离等工序，因而额外制作一层刻蚀阻挡层将大大增加生产成本，进而降低生产良率。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种 薄膜晶体管基板的制造方法，其能有效避免金属信号线和源/漏极的蚀刻制程对氧化物半导体层的破坏，提高薄膜晶体管基板的稳定性与均一性，提升生产良率，增加氧化物半导体薄膜晶体管基板大量生产的可能性，并能减少一道光刻制程，大幅降低生产成本，提高生产良率。本专利技术的另一目的在于提供一种薄膜晶体管基板，结构简单，具有较高的稳定性与均一性，其制作方法简单，能减少一道光刻制程，大幅降低生产成本，提高生产良率。为实现上述目的，本专利技术提供一种薄膜晶体管基板的制造方法，包括以下步骤:步骤1、提供基片；步骤2、在基片上形成预定结构的栅极；步骤3、在栅极与基片上形成栅极绝缘层；步骤4、在栅极绝缘层上形成预定结构的金属信号线；步骤5、在栅极绝缘层上形成预定结构的氧化物半导体层；步骤6、在栅极绝缘层、金属信号线、氧化物半导体层上形成预定结构的钝化层；步骤7、在所述金属信号线、氧化物半导体层、钝化层上形成预定结构的源/漏极，以形成薄膜晶体管基板。所述基片为玻璃基片；所述氧化物半导体层由铟镓锌氧化物、铟镓氧化物、氧化锌、氧化铝或氧化锡形成。所述步骤6中，在形成钝化层的同时，还形成一预定结构的刻蚀阻挡层，该刻蚀阻挡层位于所述氧化物半导体层上，所述钝化层位于所述刻蚀阻挡层两侧，所述钝化层与所述刻蚀阻挡层由相同材料或不同材料制成。所述步骤7中，在形成源/漏极的同时，还形成像素电极，该像素电极形成于钝化层上，并与源/漏极电性连接，所述源/漏极与像素电极均由透明导电氧化物形成。所述透明导电氧化物为氧化铟锡。本专利技术还提供一种薄膜晶体管基板，包括:一基片；一栅极，位于所述基片上；一栅极绝缘层，位于所述基片以及所述栅极上；一金属信号线，位于所述栅极绝缘层上；一氧化物半导体层，位于所述栅极绝缘层上且位于所述金属信号线一侧；一钝化层，位于所述栅极绝缘层、金属信号线及氧化物半导体层上；一源/漏极，位于所述金属信号线、氧化物半导体层、钝化层上，所述源/漏极与所述金属信号线电性连接；以及—像素电极，位于所述钝化层上并与所述源/漏极直接相接，且与所述源/漏极位于同一层，所述源/漏极与像素电极均由透明导电氧化物形成。所述基片为玻璃基片。所述氧化物半导体层由铟镓锌氧化物、铟镓氧化物、氧化锌、氧化铝或氧化锡形成。还包括位于氧化物半导体层上的刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层与所述钝化层同时形成，且由相同的材料或不同的材料制成。所述源/漏极与像素电极同时形成，所述透明导电氧化物为氧化铟锡。本专利技术的有益效果:薄膜晶体管基板的制造方法及用该方法制造的薄膜晶体管基板，将氧化物半导体层在金属信号线之后形成，同时在源/漏极形成之前制作一层刻蚀阻挡层，并使用透明导电氧化物(TCO)代替传统的源/漏极制成材料，避免金属信号线和源/漏极的蚀刻制程对氧化物半导体层的破坏，提高薄膜晶体管基板的稳定性与均一性，提升生产良率，增加氧化物半导体薄膜晶体管基板大量生产的可能性，且，将所述刻蚀阻挡层与钝化层同层制作，将源漏电极与像素电极同层制作，可以少制作一层，减少一道光刻制程(包括成膜、曝光、显影、蚀刻、剥离等工序)，从而可以大幅降低生产成本，提高生产良率。为了能更进一步了解本专利技术的特征以及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本专利技术加以限制。【专利附图】【附图说明】下面结合附图，通过对本专利技术的【具体实施方式】详细描述，将使本专利技术的技术方案及其它有益效果显而易见。附图中，图1为现有的薄I吴晶体管基板的结构不意图；图2为本专利技术薄膜晶体管基板的制造方法的流程图；图3至图8为用本专利技术薄膜晶体管基板的制造方法制造薄膜晶体管基板的一实施例的制程示意图；图9至14为用本专利技术薄膜晶体管基板的制造方法制造薄膜晶体管基板的另一实施例的制程示意图；图15为本专利技术薄膜晶体管基板一实施例的结构示意图；图16为本专利技术薄膜晶体管基板另一实施例的结构示意图。【具体实施方式】为更进一步阐述本专利技术所采取的技术手段及其效果，以下结合本专利技术的优选实施例及其附图进行详细描述。请参阅图2，并参考图3至图8，本专利技术提供一种薄膜晶体管基板的制造方法，包括以下步骤:步骤1、提供基片20。所述基片20为透明基片，优选玻璃基片或塑料基片，在本实施例中，基片20为玻璃基片。步骤2、在基片20上形成预定结构的栅极22。通过第一道光刻制程在基片20上形成预定结构的栅极22，其具体形成方式可为:先在基片20上本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、提供基片（20）；步骤2、在基片（20）上形成预定结构的栅极（22）；步骤3、在栅极（22）与基片（20）上形成栅极绝缘层（24）；步骤4、在栅极绝缘层（24）上形成预定结构的金属信号线（26）；步骤5、在栅极绝缘层（24）上形成预定结构的氧化物半导体层（28）；步骤6、在栅极绝缘层（24）、金属信号线（26）、氧化物半导体层（28）上形成预定结构的钝化层（32）；步骤7、在所述金属信号线（26）、氧化物半导体层（28）、钝化层（32）上形成预定结构的源/漏极（34），以形成薄膜晶体管基板。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李文辉，曾志远，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。