半导体器件制造技术

本发明专利技术提供一种半导体器件，具有：包含金属布线(ML1)而形成的旋涡线状电感器(20)；和包含金属布线(ML1)而形成的马蹄状电感器(10)。马蹄状电感器(10)以使其开口部位于旋涡线状电感器(20)的相反侧的方式配置。因此，能够尽可能地减小从发送部输出的无用波(杂波)。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件
本专利技术涉及半导体器件，例如，能够适合利用于具有可减少发送部的无用波(杂波：spurious)的构造的半导体器件。
技术介绍
像移动电话、移动信息终端(PersonalDigitalAssistant：PDA)、WiFi(注册商标)(WirelessFidelity)收发器、以及其他通信设备那样的移动通信设备通过各种频率来收发通信信号。尤其是，在移动电话等中，使用了LTE(LongTermEvolution：长期演进技术)/W-CDMA/GSM(注册商标)三模式收发器等。为了进行有效的通信，收发信号的频率比输送要进行通信的信息的基带信息信号高出几倍。因此，收发器必须使用调频器来使发送信号升频、使接收信号降频。这样的收发器多由于小型化的需要而单芯片化，因此，也存在发送部和接收部的各电路成为彼此的噪声产生原因的情况。尤其是，存在如下问题：由于通过在各电路中流通的电流而产生的磁场的影响，在其他电路中感应出电流。作为防止这样的噪声的技术，公开有如下技术。日本特开2004-228144号公报(专利文献1)的目的在于，在具有多个线圈的阵列式的线圈部件中，实现能够抑制由电感器之间的磁耦合导致的传感器自身的特性恶化的构造。日本特开2004-228144号公报(专利文献1)所公开的专利技术的线圈部件中，多个线圈在由绝缘体层层叠而成的层叠体的内部沿与层叠方向垂直的方向相邻地配置，线圈具有由直线状导体构成的大致旋涡形状或大致螺旋形状，在相邻的线圈之间，在绝缘体层的同一面上邻近且相对的直线状导体在其延长线上大致正交。日本特开2005-327931号公报(专利文献2)的目的在于提供集成电感器及使用了该集成电感器的接收电路，能够抑制由集成电感器之间的耦合导致的自混频、进而能够实现电路的简化、芯片尺寸及耗电的减少。日本特开2005-327931号公报(专利文献2)所公开的专利技术为，在基板上至少具有两层导体层，并具有由第1导体层形成且相邻地配置的螺旋状的第1及第2电感单元，上述第1及第2电感单元以使电流的流向彼此为相反方向的方式连接，在第1及第2电感单元与外部电路的连接中，至少具有两处基于第2导体层的与第1导体层的交叉部。尤其是，从接收部的本机振荡器生成的信号的同相成分(共模)泄漏至发送部的变频器、即正交调制器，从而存在与发送波的三倍高次谐波混频而产生的杂波。从该接收部的本机振荡器生成的信号的泄露是由接收部的振荡器的马蹄状电感器与正交调制器的旋涡线状电感器的磁耦合引起的。例如，在收发器以频带1(发送频率：1920～1980MHz，接收频率：2110～2170MHz)动作的情况下，由于该无用波(杂波)落入GPS频带(1575.42MHz＝3﹡1955MHz―2﹡2145MHz，从接收部的本机振荡器生成的信号的频率为接收频率的二倍)，所以存在使位于同一基板上的GPS接收器的接收灵敏度恶化的问题。日本特开2004-228144号公报(专利文献1)在现有技术中使两个电感器的“く”字状部相对配置，因此不区分同相成分或差动成分地减小两个电感器之间的信号的泄露。但是，没有详细研讨在同相成分(共模)向旋涡线状电感器泄露的情况下使无用波(杂波)减少的内容。另外，日本特开2005-327931号公报(专利文献2)在接收电路的本机振荡器和低噪声放大器中使用了8字型电感器，从而减小了两个电路的干涉。但是，没有详细研讨在同相成分(共模)向旋涡线状电感器泄露的情况下使无用波(杂波)减少的内容。
技术实现思路
本专利技术的一个实施例的目的在于解决上述问题，提供能够尽可能减小从发送部输出的无用波(杂波)的半导体器件。根据一个实施方式，为一种半导体器件，具有：包含第1导体层而形成的旋涡线状的第1电感器；和包含第1导体层而形成的马蹄状的第2电感器，第2电感器以使其开口部位于第1电感器的相反侧的方式配置。根据上述一个实施例的方式，能够尽可能减小从发送部输出的无用波(杂波)，因此，也能够减少SAW(SurfaceAcousticWave：表面声波)滤波器，进而能够削减安装面积。本专利技术的上述目的及其他目的、特征、概要及优点能够从与添加的附图关联地理解的、与本专利技术相关的下述详细说明中得以明确。附图说明图1是表示本专利技术的实施方式的半导体器件的结构的框图。图2是表示构成本实施方式的半导体器件的电路组的配置(布局)的图。图3是半导体器件的各电路的配置(布局)的局部放大图。图4是表示马蹄状电感器10的布局图。图5是图4的A1-A1'线剖视图。图6是表示旋涡线状电感器20的平面形状的图。图7是图6的A2-A2'线剖视图。图8是表示马蹄状电感器10的等效电路的图。图9是用于说明本实施方式的半导体器件的动作的示意图。图10是用于说明本实施方式的半导体器件的动作(图9所示的电流为相反方向时)的示意图。图11是用于说明参考例的半导体器件的动作的示意图。图12是用于说明参考例的半导体器件的动作(图11所示的电流为相反方向时)的示意图。具体实施方式以下，参照附图详细说明本专利技术。此外，对图中相同或相应部分标注相同的附图标记且不重复其说明。图1是表示本专利技术的实施方式的半导体器件的结构的框图。图1所示的半导体器件包括：安装在移动电话机或数据通信机中的RFIC(Radio-FrequencyIntegratedCircuit：射频集成电路)100、基带电路300、HPA(HighPowerAmplifier：高功率放大器)214、前端模块(FEM：FrontEndModule)200、天线210、和接收用巴伦(平衡-不平衡转换器：Balun)212。天线210用于发送及接收高频信号(电波)。接收用巴伦212将来自天线210的不平衡信号转换成平衡信号并提供至RFIC100。另一方面，HPA214将来自RFIC100的输出信号放大并提供至天线210。该RFIC100为单芯片、多模式用的接收器IC(通信用半导体集成电路)，遵循大体分为“GSM(注册商标)/EDGE”、“WCDMA”、“HSPA”、“HSPA+”、以及“LTE”这五种收发方式的通信标准，能够经由天线210在与基站之间发送及接收RF信号。在此，GSM(注册商标)(GlobalSystemforMobileCommunication：全球移动通信系统)是通过FDD(频分双工：FrequencyDivisionDuplex)-TDMA(时分多址：TimeDivisionMultipleAccess)方式而实现的第2代(2G)通信标准，作为数字调制方式使用GMSK方式。另外，EDGE(EnhancedDataRatesforGSMEvolution：增强型数据速率GSM演进技术)是GSM(注册商标)方式中的分组通信的扩展标准。在EDGE中，作为数字调制方式使用8PSK(8相移键控方式：8PhaseShiftKeying)。WCDMA(WidebandCodeDividedMultipleAccess：宽带码分多址)是通过FDD-CDMA(码分多址：CodeDivisionMultipleAccess)方式而实现的第3代(3G)通信标准。在欧美地区作为UMTS(UniversalMobileTelecommunicationsSystems：通用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于，具有：包含第1导体层而形成的旋涡线状的第1电感器；和包含所述第1导体层而形成的马蹄状的第2电感器，所述第2电感器以使其开口部位于所述第1电感器的相反侧的方式配置。

【技术特征摘要】
2012.04.25 JP 2012-0996871.一种半导体器件，其特征在于，具有：将来自天线的无线电信号放大并输出接收信号的低噪声放大器；使所述接收信号降频的降频变频器；与所述降频变频器耦合的第1分频器；与所述第1分频器耦合的第1本机振荡器；对发送信号进行调制的调制器；与所述调制器耦合的第2分频器；以及与所述第2分频器耦合的第2本机振荡器，其中，所述调制器包含旋涡线状的第1电感器，其中，所述第1本机振荡器包含具有开口部的马蹄状的第2电感器，其中，所述第2电感器的所述开口部被配置成位于所述第1电感器的相反侧。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第2电感器包含沿第1方向延伸的第1部分、沿第2方向延伸的第2部分、以及沿第3方向延伸的第3部分，其中，所述第2方向和所述第3方向与所述第1方向相交，其中，所述第2部分的端部和所述第3部分的端部形成所述第2电感器的所述开口部。3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第1电...

【专利技术属性】
技术研发人员：木原崇雄，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：