晶圆级封装构造制造技术

技术编号:9277873 阅读:73 留言:0更新日期:2013-10-24 23:58
本发明专利技术公开一种晶圆级封装构造,包含一半导体组件、一第一介电层、一重分布电路层、一第二介电层及至少一金属凸块,所述重分布电路层设置在所述第一介电层上,且包含一导线部、一扇形部及一垫片部,所述金属凸块包含一接触面及一端缘,所述接触面与所述垫片部连接,所述端缘位于所述接触面一侧且面对所述扇形部,所述端缘与扇形部之间具有一用以分散电流的缓冲距离。通过所述端缘与扇形部之间形成有缓冲距离,可扩大电流经过所述端缘的范围,进而分散所述金属凸块往扇形部移动的电流,降低所述金属凸块受到电子迁移的影响,以避免所述金属凸块产生龟裂或断开的情形。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种晶圆级封装构造,其特征在于:所述晶圆级封装构造包含:一半导体组件,具有一有源表面,所述有源表面设有至少一导电接垫;一保护层,覆盖在所述有源表面及导电接垫上,且部分裸露所述导电接垫;一第一介电层,覆盖在所述保护层上,且部分裸露所述导电接垫;一重分布电路层,设置在所述第一介电层上,且包含:一导线部,其一端电性连接所述导电接垫;一扇形部,自所述导线部另一端延伸而成;及一垫片部,连接所述扇形部;一第二介电层,覆盖在所述第一介电层及重分布电路层上,且部分裸露所述垫片部,以定义一重分布焊垫区;及至少一金属凸块,设置在所述第二介电层及重分布焊垫区上,所述金属凸块包含:一接触面,与所述重分布焊垫区连接;及一端缘,位于所述接触面一侧且面对所述扇形部,所述端缘与扇形部之间具有一用以分散电流的缓冲距离。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:杭特·約翰
申请(专利权)人:日月光半导体制造股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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