半导体器件的保护环制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件的保护环，所述保护环围绕着半导体器件的芯片形成一圈，将该芯片与切割道分开；其包括：保护环深沟槽，该保护环深沟槽穿过多晶-金属间介质膜和外延层，与高掺杂浓度的硅衬底直接相连；所述保护环深沟槽中依次形成有一层金属粘合层和一层金属阻挡层，且用填充金属填充满；所述多晶-金属间介质膜上端且位于所述保护环深沟槽上方设有第一金属层，该第一金属层与所述填充金属电连接。本发明专利技术能更好的起到保护和屏蔽作用，提高器件的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路领域，特别是涉及一种半导体器件的保护环。
技术介绍
半导体器件的保护环(以下简称“保护环”)，主要用来保护芯片切割时不受损坏，阻止切割时因刀片产生的裂痕损坏到芯片。一般是将接触孔/通孔/金属相叠形成的一个金属屏蔽环，它与核心芯片有一定的间距，与硅片的切割道也有一定的距离，所述的间距和距离按工艺，器件不同会有所不同。所述保护环一般可以接地，例如在使用P型基片的情况下，与P+接在一起，接到芯片的地。所述保护环也可以悬空。所述保护环除了在切割时起到保护外，也能起到其他作用，如屏蔽芯片外的干扰；可以防止潮气从侧面断口侵入等；而将外部产生的任何电荷的影响就近接地，可以使外部对芯片本体的冲击降到最小。参见图1，现有的半导体器件的保护环，主要是在芯片的上部，通过金属屏蔽来实现。其中，30为金属线，31为介质膜，32为连接通孔，33为接触孔，34为场氧。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种半导体器件的保护环，能更好的起到保护和屏蔽作用，提高器件的可靠性。为解决上述技术问题，本专利技术的半导体器件的保护环是采用如下技术方案实现的所述保护环围绕着半导体器件的芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的保护环，其特征在于，所述保护环围绕着半导体器件的芯片形成一圈，将该芯片与切割道分开；其包括：保护环深沟槽，该保护环深沟槽穿过多晶?金属间介质膜和外延层，与高掺杂浓度的硅衬底直接相连；所述保护环深沟槽中依次形成有一层金属粘合层和一层金属阻挡层，且用填充金属填充满；所述多晶?金属间介质膜上端且位于所述保护环深沟槽上方设有第一金属层，该第一金属层与所述填充金属电连接。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的保护环，其特征在于，所述保护环围绕着半导体器件的芯片形成一圈，将该芯片与切割道分开；其包括 保护环深沟槽，该保护环深沟槽穿过多晶-金属间介质膜和外延层，与高掺杂浓度的硅衬底直接相连；所述保护环深沟槽中依次形成有一层金属粘合层和一层金属阻挡层，且用填充金属填充满； 所述多晶-金属间介质膜上端且位于所述保护环深沟槽上方设有第一金属层，该第一金属层与所述填充金属电连接。2.如权利要求1所述的保护环，其特征在于在所述多晶-金属间介质膜上端还设有多层金属-金属间层间膜，各层金属-金属间层间膜的上端均设有金属层，各层金属-金属间层间膜中均设有通孔，各通孔中依次形成有一层金属粘合层和一层金属阻挡层，且用填充金属填充满；所述各层金属层通过通孔中的填充金属电连接，直至连接到第一金属层。3.如权利要求1或2所述的保护环，其特征在于在所述保护环深沟槽的两侧，分别有一个与所述外延层同类型的离子分布区。4.如权利要求3所述的保护环，其特征在于在所述离子分布区上方形成有场氧化膜，该场氧化膜分布在所述保护环深沟槽的两侧。5.如权利要求3所述的保护环，其特征在于在所述离子分布区上方形成有一场氧化膜，该场氧化膜分布在所述保护环深沟槽的靠近切割道的一侧；或者，该场氧化膜分布在所述保护环深沟槽的靠近芯片的一侧。6.如权利要求3所述的保护环，其特征在于所述离子注入区的深度大于等于芯片中其它同类型的离子注入区的最大深度。7.如权利要求1或2所述的保护环，其特征在于在所述保护环深沟槽的靠近芯片的一侧有一个与所述外延层...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖胜安，遇寒，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：