一种安全输送冷却气体的装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种安全输送冷却气体的装置，在所述冷却气体输送管道和所述导体连接器的连接端设置一管道分隔装置，将所述冷却气体输送管道的内径分隔为若干路口径小于0.5毫米的气体输送通道。利用帕邢定律和帕邢曲线知：击穿电压U（千伏）是电极距离d（厘米）和气压P（托）乘积的函数，在所述冷却气体输送管道内部气压一定的前提下减小电极距离将电极距离d（厘米）和气压P（托）乘积移到冷却气体所能承受的击穿电压较大的一侧，从而提高冷却气体所能承受的击穿电压，实现冷却气体的安全输送。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体器件的制造领域，尤其涉及一种输送冷却气体的气体管道

技术介绍
在半导体设备的制造过程中，例如蚀刻、沉积、氧化、溅射等处理过程中，通常会利用等离子体对基片(半导体晶片、玻璃基片等)进行处理。一般地，对于等离子体处理装置来说，作为生成等离子体的方式，在高频放电方式的等离子体处理装置中，包括电容耦合型等离子体反应器和电感耦合型等离子体反应器。所述的电容耦合型反应器通常配置有上部电极和下部电极，优选地这两个电极平行设置。而且，通常在下部电极之上载置被处理基片，经由整合器将等离子体生成用的高频电源施加于上部电极或者下部电极。通过由该高频电源所生成的高频电场来使反应气体的外部电子加速，从而产生等离子体对基片进行等离子处理。等离子体对基片进行处理时会产生很高的热量，导致基片温度较高，为了降低基片温度，所述下部电极内部通常设置有热交换器对所述基片进行冷却。所述的下部电极通常包括一个静电吸盘，所述静电吸盘的运行需要施加高压DC功率以卡紧基片。为了提高基片热量向下部电极传导的效率，可以向基片和静电吸盘之间提供冷却气体，然而，高压DC或RF功率之一会转而将氦激励到电子能够逸出氦本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种安全输送冷却气体的装置，包括一冷却气体输送管道，所述冷却气体输送管道通过一导体连接器与所处等离子体刻蚀室的下电极连接，其特征在于：所述冷却气体输送管道和所述导体连接器的连接端包括一管道分隔装置，所述管道分隔装置至少部分的位于所述冷却气体输送管道内部，与所述冷却气体输送管道形成若干路气体输送通道，所述管道分隔装置距离所述下电极较近的一端位于所述导体连接器内部，另一端位于所述导体连接器外部，所述若干路气体输送通道口径小于0.5毫米。

【技术特征摘要】
1.一种安全输送冷却气体的装置，包括一冷却气体输送管道，所述冷却气体输送管道通过一导体连接器与所处等离子体刻蚀室的下电极连接，其特征在于所述冷却气体输送管道和所述导体连接器的连接端包括一管道分隔装置，所述管道分隔装置至少部分的位于所述冷却气体输送管道内部，与所述冷却气体输送管道形成若干路气体输送通道，所述管道分隔装置距离所述下电极较近的一端位于所述导体连接器内部，另一端位于所述导体连接器外部，所述若干路气体输送通道口径小于0. 5毫米。2.根据权利要求1所述的输送冷却气体的装置，其特征在于所述冷却气体输送管道内的气压范围为10托-50托。3.根据权利要求1所述的输送冷却气体的装置，其特征在于所述冷却气体输送管道的内径为2毫米-3毫米。4.根据权利要求1所述的输送冷却气体的装置，其特征在于所述管道分隔装置为一段多孔管道，所述多孔管道位于所述冷却气体输送管道内部，所述多孔管道的孔径小于0. 5晕米，长度大于5晕米。5.根据权利要求1所述的输送冷却气体的装置，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：周旭升，陈妙娟，徐朝阳，张亦涛，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海有限公司，
类型：实用新型
国别省市：