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本发明公开了一种半导体器件的保护环，所述保护环围绕着半导体器件的芯片形成一圈，将该芯片与切割道分开；其包括：保护环深沟槽，该保护环深沟槽穿过多晶-金属间介质膜和外延层，与高掺杂浓度的硅衬底直接相连；所述保护环深沟槽中依次形成有一层金属粘合层...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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