【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制作领域，特别涉及一种。
技术介绍
现有的集成电路制造中，随着半导体集成电路技术的不断进步和特征尺寸的不断减小，使得单片晶圆上的器件的数量不断增加，电路的功能得到了改进，电路日趋复杂，工艺制造中的环节要求越来越精细，器件的可靠性也显得日益重要。金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管是半导体制造中的最基本器件，其广泛适用于各种集成电路中，根据主要载流子以及制造时的掺杂类型不同，分为NMOS和PMOS晶体管。而现有的集成电路设计和集成电路制造总是相辅相成，相互促进的，两者都在器件的可靠性的提高发挥着重要的作用。在设计集成电路 时，特别是复杂的集成电路设计中，精确的模拟仿真电路特性是必须的，MOS晶体管模型作为集成电路设计和集成电路制造之间的关键桥梁，在集成电路日趋复杂的今天有着更多更高的要求。MOS晶体管的工作温度、制作温度或测试温度等对MOS晶体管的性能具有重要的影响，因此在MOS晶体管建模时，晶体管的温度是一个重要的考量因素，对于提高建立的晶体管模型的准确性至关重要。现有在MOS晶体管制作或分析测试中，通常将晶圆置于处理设备的载物台上，然后通过...
【技术保护点】
一种晶圆温度的检测方法，其特征在于，包括：提供晶圆，在所述晶圆上形成双极型晶体管，双极型晶体管作为温度检测器件，所述双极型晶体管包括位于晶圆内的第一掺杂区、位于第一掺杂区内的第二掺杂区、位于第二掺杂区内的第三掺杂区，其中所述第一掺杂区为双极型晶体管的集电区、第二掺杂区为双极型晶体管的基区、第三掺杂区为双极型晶体管的发射区；对所述温度检测器件进行校准；在所述双极型晶体管的基区上依次施加至少三个不同的基区电压，双极型晶体管工作在线性区，并测量获得与至少三个基区电压值对应的至少三个集电区电流值；根据施加的三个基区电压值和对应的至少三个集电区电流值，进行指数曲线拟合，获得晶圆的至少...
【技术特征摘要】
1.一种晶圆温度的检测方法，其特征在于，包括提供晶圆，在所述晶圆上形成双极型晶体管，双极型晶体管作为温度检测器件，所述双极型晶体管包括位于晶圆内的第一掺杂区、位于第一掺杂区内的第二掺杂区、位于第二掺杂区内的第三掺杂区，其中所述第一掺杂区为双极型晶体管的集电区、第二掺杂区为双极型晶体管的基区、第三掺杂区为双极型晶体管的发射区；对所述温度检测器件进行校准；在所述双极型晶体管的基区上依次施加至少三个不同的基区电压，双极型晶体管工作在线性区，并测量获得与至少三个基区电压值对应的至少三个集电区电流值；根据施加的三个基区电压值和对应的至少三个集电区电流值，进行指数曲线拟合，获得晶圆的至少三个测试温度；对所述至少三个测试温度求平均值，将平均值作为晶圆的温度。2.如权利要求1所述的晶圆温度的检测方法，其特征在于，所述拟合的指数曲线方程 为:3.如权利要求2所述的晶圆温度的检测方法，其特征在于，所述Eg等于1.18电子伏，Xti等于3, Trf等于298开尔文。4.如权利要求3所述的晶圆温度的检测方法，其特征在于，所述对温度检测器件进行校准的过程为将晶圆加热到不同的三个标准温度，在三个标准温度下，在双极型晶体管的基区上分别施加校准基区电压值，双极型晶体管工作在线性区，并测量获得与三个标准温度对应的三个校准集电区电流值，将校准基区电压值、标准温度和对应的三个校准集电区电流值、Eg等于1. 18电子伏、Xti等于3、Trf等于298开尔文分别代入所述指数曲线，获得固定器件常数Is。5.如权利要求4所述的晶圆温度的检测方法，其特征在于，所述测试温度的范围为220 450开尔文。6.如权利要求5所述的晶圆温度的检测方法，其特征在于，所述三个标准温度为高温区温度、中温区温度...
【专利技术属性】
技术研发人员：范象泉，张昊，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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