一种判定PMOSFET器件硼穿通的方法技术

本发明专利技术公开了一种判定PMOSFET器件硼穿通的方法，包括：采用相同的工艺流程和参数制造2个多晶硅栅电极掺杂过程中采用类型相反离子注入，其它结构完全相同PMOSFET，形成P型多晶硅栅极和N型多晶硅栅极PMOSFET；分别测量P型多晶硅栅极PMOSFET和N型多晶硅栅极PMOSFET的阈值电压；计算得到P型多晶硅栅极PMOSFET和N型多晶硅栅极PMOSFET的阈值电压差值；计算得到P型多晶硅栅电极和N型多晶硅栅电极的功函数差值；将阈值电压差值与功函数差值进行比较；阈值电压差值大于功函数差值，判定发生了硼穿通；阈值电压差值等于功函数差值，判定没有发生硼穿通。本发明专利技术的判定PMOSFET器件硼穿通的方法能准确的判定PMOSFET器件是否发生硼穿通。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种判定PMOSFET (P型金属氧化层半导体场效晶体管)器件硼穿通的方法。
技术介绍
随着栅氧化层厚度的日益减薄，硼穿通问题变得越来越严重。当MOSFET的栅氧厚度减薄到3nm以下，穿过薄氧化层的硼穿通对器件性能的影响成为深亚微米制程中的关键性问题。特别是在表面沟道器件中，非常容易出现硼穿通现象。P型多晶硅作为栅电极的表面沟道PMOSFET对于硼穿通的发生特别敏感。P型多晶硅栅电极中的硼杂质能够扩散进入薄栅氧化层并到达MOSFET的沟道区域，从而使晶体管的性能发生改变，包括阈值电压漂移，电容-电压曲线变形，漏电流增加以及栅氧可靠性降低等。因此，防止硼穿通对于获得高可靠性的MOSFET尤为重要。为了在减小硼穿通的影响，需要明确多晶硅栅电极中硼穿通与栅氧厚度之间的关系。业界通常采用SIMS (Secondary Ion Mass Spectrometry次级离子质谱法)检测器件中硼离子的浓度，以此为依据判定是否发生硼穿通。然而，这种分析方式难以精确界定硼穿通发生的临界浓度，不能快速准确评估对器件电性能的影响。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种判定PMOSFET器件硼穿通的方法，其特征是，包括以下步骤：(1)采用相同的工艺流程和参数制造2个多晶硅栅电极掺杂过程中采用类型相反离子注入，其它结构完全相同PMOSFET，形成P型多晶硅栅极和N型多晶硅栅极PMOSFET；(2)分别测量P型多晶硅栅极PMOSFET和N型多晶硅栅极PMOSFET的阈值电压；(3)计算得到P型多晶硅栅极PMOSFET和N型多晶硅栅极PMOSFET的阈值电压差值；(4)计算得到P型多晶硅栅电极和N型多晶硅栅电极的功函数差值；(5)将阈值电压差值与功函数差值进行比较；阈值电压差值大于功函数差值，判定发生了硼穿通；阈值电压差值等于功函数差值，判定没有发生硼穿通。

【技术特征摘要】
1.ー种判定PMOSFET器件硼穿通的方法，其特征是，包括以下步骤 (1)采用相同的エ艺流程和參数制造2个多晶硅栅电极掺杂过程中采用类型相反离子注入，其它结构完全相同PM0SFET，形成P型多晶硅栅极和N型多晶硅栅极PMOSFET ； (2)分别测量P型多晶硅栅极PMOSFET和N型多晶硅栅极PMOSFET的阈值电压； (3)计算得到P型多晶硅栅极PMOSFET和N型多晶硅栅极PMOSFET的阈值电压差值； (4)计算...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗啸，石晶，钱文生，胡君，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：