温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种判定PMOSFET器件硼穿通的方法，包括：采用相同的工艺流程和参数制造2个多晶硅栅电极掺杂过程中采用类型相反离子注入，其它结构完全相同PMOSFET，形成P型多晶硅栅极和N型多晶硅栅极PMOSFET；分别测量P型多晶硅栅极P...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。