一种半导体器件制造技术

本实用新型专利技术提供一种半导体器件，包括：半导体衬底，其上依次形成有高k介质层和图形化的栅极；侧墙，其形成于所述栅极周围，其中，所述高k介质层具有被氮化的部分，其位于所述半导体衬底上未被所述栅极覆盖的区域，其中所述氮化的高k介质层还存在于所述半导体衬底与所述侧墙之间。本实用新型专利技术将半导体衬底上未被其上的栅极或者侧墙覆盖的高k介质层氮化，在所述高k介质层表面形成氧扩散阻挡层，抑制了氧从水平方向扩散进入栅极下方的高k介质层中，使其不受扩散进入的氧的侵蚀，优化了半导体器件的工作性能。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹海洲，骆志炯，朱慧珑，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
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