一种宽环路带宽的II型亚采样锁相环电路制造技术

本发明专利技术公开一种宽环路带宽的II型亚采样锁相环电路，涉及集成电路技术领域。电路包括依次连接的亚采样鉴相器、跨导放大器、低通滤波器、预设级的环形振荡器和斜率产生器；亚采样鉴相器基于电路反馈回来的高频信号确定输入电压传输至跨导放大器；跨导放大器用于基于跨导放大器的放大增益将输入电压与参考电压的电压差转化为电流信号输出至低通滤波器；低通滤波器用于基于电流信号产生环形振荡器控制电压，并对环形振荡器控制电压上的高频干扰进行滤波；环形振荡器用于调节环形振荡器的工作频率，将产生的高频信号进行整形输出；斜率产生器用于对高频信号边沿斜率进行调节，以及将整形输出的高频信号反馈至亚采样鉴相器，从而实现频率和相位的锁定。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路，尤其涉及一种宽环路带宽的ii型亚采样锁相环电路。

技术介绍

1、国内外针对锁相环电路的研究分为基于lc振荡器的锁相环结构，以及环形振荡器结构的锁相环电路。lc振荡器具有反馈强、易起振、频率高、相位噪声低的特点，但是这种结构中的电感与电容会大量得消耗芯片面积、提升制造成本，同时还会在电路中产生较大的耦合效应。而如今的soc系统中，需要集成多个时钟控制单元(pll)，环形振荡器结构的锁相环结构设计对于整个系统而言尤为重要。因此，基于环形振荡器的锁相环结构，因为其面积小、耦合小以及产生相位多等特点成为当下研究的重点方向。

2、同样，基于环形压控振荡器(ring-vco)的锁相环结构依然存在一定的局限性，例如，为实现环形压控振荡器的高频输出时，通常需要选择更短的沟道长度以及更少的延迟单元，导致产生较高的闪烁噪声；当输出摆幅降低时，也会带来热噪声的影响。抑制环形压控振荡器pll的相位噪声是能否将其广泛应用的关键所在。

3、图1示出了一种传统的基于65nm互补金属氧化物半导(complementary metaloxid本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种宽环路带宽的II型亚采样锁相环电路，其特征在于，包括依次连接的亚采样鉴相器、跨导放大器、低通滤波器、预设级的环形振荡器和斜率产生器；所述斜率产生器还与所述亚采样鉴相器连接；

2.根据权利要求1所述的宽环路带宽的II型亚采样锁相环电路，其特征在于，所述亚采样鉴相器包括相互连接的一个CMOS开关和一个采样电容；所述CMOS开关的一端和所述跨导放大器连接，所述CMOS开关的另一端和所述斜率产生器连接；

3.根据权利要求1所述的宽环路带宽的II型亚采样锁相环电路，其特征在于，所述跨导放大器包括有源负载差分对结构，所述有源负载差分对结构输入的一端与参考电平连接，输入...

【技术特征摘要】

1.一种宽环路带宽的ii型亚采样锁相环电路，其特征在于，包括依次连接的亚采样鉴相器、跨导放大器、低通滤波器、预设级的环形振荡器和斜率产生器；所述斜率产生器还与所述亚采样鉴相器连接；

2.根据权利要求1所述的宽环路带宽的ii型亚采样锁相环电路，其特征在于，所述亚采样鉴相器包括相互连接的一个cmos开关和一个采样电容；所述cmos开关的一端和所述跨导放大器连接，所述cmos开关的另一端和所述斜率产生器连接；

3.根据权利要求1所述的宽环路带宽的ii型亚采样锁相环电路，其特征在于，所述跨导放大器包括有源负载差分对结构，所述有源负载差分对结构输入的一端与参考电平连接，输入的另一端与所述亚采样鉴相器的输出端连接，所述有源负载差分对结构的输出端与所述低通滤波器的输入端连接。

4.根据权利要求3所述的宽环路带宽的ii型亚采样锁相环电路，其特征在于，所述有源负载差分对结构用于将所述输入电压与参考电压进行对比，确定所述电压差：

5.根据权利要求1所述的宽环路带宽的ii型亚采样锁相环电路，其特征在于，所述低通滤波器包括第一级的由电阻电容组成的串联结构，和第二级的单独的电容结构，在所述第一级和所述第二级之间设置一个由cmos组成的滤波采样开关，所述滤波采样...

【专利技术属性】
技术研发人员：李博，张心铭，杨尊松，任洪宇，陈天乐，俸超平，孟祥鹤，闫薇薇，张卫东，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：