【技术实现步骤摘要】
本申请涉及计算机，尤其涉及一种用于前端电路的信号处理方法及前端电路。
技术介绍
1、随着半导体工艺的不断发展，半导体器件的尺寸如沟道长度变小了，提升了集成度和优化功耗。但是，半导体器件的沟道长度变短了一般也意味着降低了半导体器件的耐压性，因此，随着先进工艺的推广，器件的沟道长度越来越短，器件的耐压范围也越来越小。在前端电路的应用中，例如用于双倍速率同步动态随机存储器（double data ratesynchronous dynamic random access memory，ddr）的前端电路，需要满足不同协议规定下的不同的参考电压，在参考电压所规范的电压域下进行数据的接收和发送。有的协议规定了高电压域例如1.1伏特、1.2伏特，因此需要在高电压域下进行数据的接收和发送。现有技术中，采用了高压器件或者能承受高压的输入输出器件。但是，随着半导体先进工艺的演进和推广，高压器件或者能承受高压的输入输出器件具有较大的功耗，且其高频特性会成为前端电路接收数据的瓶颈，影响电路带宽。
2、为此，本申请提供了一种用于前端电路的信号处理方...
【技术保护点】
1.一种用于前端电路的信号处理方法，其特征在于，所述信号处理方法包括：
2.根据权利要求1所述的信号处理方法，其特征在于，与所述第二场效应管对的负载极电连接的负载器件所采用的负阻抗连接结构是交叉管耦合连接结构。
3.根据权利要求2所述的信号处理方法，其特征在于，与所述第二场效应管对的负载极电连接的负载器件包括共源极共漏极的N型场效应管对，所述共源极共漏极的N型场效应管对各自的控制极按照所述交叉管耦合连接结构电连接所述第二场效应管对的负载极和所述第一输出差分电压信号。
4.根据权利要求3所述的信号处理方法，其特征在于，所述第二级信号处...
【技术特征摘要】
1.一种用于前端电路的信号处理方法，其特征在于，所述信号处理方法包括：
2.根据权利要求1所述的信号处理方法，其特征在于，与所述第二场效应管对的负载极电连接的负载器件所采用的负阻抗连接结构是交叉管耦合连接结构。
3.根据权利要求2所述的信号处理方法，其特征在于，与所述第二场效应管对的负载极电连接的负载器件包括共源极共漏极的n型场效应管对，所述共源极共漏极的n型场效应管对各自的控制极按照所述交叉管耦合连接结构电连接所述第二场效应管对的负载极和所述第一输出差分电压信号。
4.根据权利要求3所述的信号处理方法，其特征在于，所述第二级信号处理电路还包括用于所述第二输出差分电压信号的正反馈连接结构从而提升所述第二级信号处理电路的输出增益，所述正反馈连接结构基于所述交叉管耦合连接结构提供从所述第一输出差分电压信号到所述第二输出差分电压信号的正反馈。
5.根据权利要求1所述的信号处理方法，其特征在于，所述第一场效应管对是第一n型场效应管对，所述第一场效应管对的控制极和偏置极分别是所述第一n型场效应管对的栅极和漏极，所述第一级信号处理电路还包括基于所述第一n型场效应管对的第一源极退化结构用于提供信道衰减补偿，所述第一源极退化结构包括并行连接于所述第一n型场效应管对的源极之间的第一可调电容和第一可调电阻，所述第一源极退化结构还包括分别电连接于所述第一n型场效应管对的源极的第一电流源对。
6.根据权利要求5所述的信号处理方法，其特征在于，所述第三场效应管对是第三n型场效应管对，所述第三场效应管对的控制极、偏置极、负载极分别是所述第三n型场效应管对的栅极、漏极、源极，所述第三级信号处理电路还包括基于所述第三n型场效应管对的第二源极退化结构用于提供信道衰减补偿，所述第二源极退化结构包括并行连接于所述第三n型场效应管对的源极之间的第二可调电容和第二可调电阻，所述第二源极退化结构还包括分别电连接于所述第三n型场效应管对的源极的第二电流源对。
7.根据权利要求6所述的信号处理方法，其特征在于，所述第二电流源对是可调电流源用于调节所述第三级信号处理电路的输出增益，所述第三级信号处理电路还包括输出前馈电容。
8.根据权利要求7所述的信号处理方法，其特征在于...
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