【技术实现步骤摘要】
本申请涉及计算机，尤其涉及一种用于时钟接收电路的信号处理方法及时钟接收电路。
技术介绍
1、在高速数字传输和通信的应用领域，为了满足高速数据信号的完整性需求，在高速数据接收端需要对接收到的信号进行放大，并且，为了满足复杂多变的实际应用需求，需要能够兼容多种协议和支持多种不同的频率。现有技术中的一种方式是，先经过差分放大器增大电平幅度，再通过交流耦合来获取交流分量、去耦直流工作点和排除前级电路的直流共模电平对后级电路的干扰；但是，基于交流耦合的方式依赖电容值的选取来支持不同频率，并且由于电容的存在需要一定时间完成自建共模电平来维持合适的电压，这样导致前几个周期的时钟恢复的占空比表现很差，难以实现快速响应，也无法适配要求快速响应的收发需求的协议。现有技术中的另一种方式是采用差分放大器来放大电平幅度然后用反相器完成电平转换，但是，出于兼容多种协议的需求，接收到的信号可能与反相器恢复出来的信号处于不同的电压域，两种电压域之间的电压差可能存在大范围的波动，这样会导致占空比偏差。
2、为此，本申请提供了一种用于时钟接收电路的信号处理方法及时钟接收电路，用于应对现有技术中的技术难题。
技术实现思路
1、第一方面，本申请提供了一种用于时钟接收电路的信号处理方法。所述信号处理方法包括：通过差分放大电路，转换电流模式逻辑电平信号为第一输出差分信号，其中，所述差分放大电路通过直流耦合方式保留所述电流模式逻辑电平信号的直流共模成分并且包括一级放大结构用于放大所述电流模式逻辑电平信号的电平幅度；
2、通过本申请的第一方面，满足高信道衰减下放大电流模式逻辑电平信号的需求，兼顾多协议多频点的应用以及不同速率不同信道衰减的应用，有效克服了前级电路和后级电路处于不同电源电压时前级电路对后级电路的干扰，改善占空比的表现，有助于快速响应。
3、在本申请的第一方面的一种可能的实现方式中，所述第一互补电路的偏置状态是基于第一偏置电压和所述第二输出差分信号确定，所述第二互补电路的偏置状态是基于第二偏置电压和所述第二输出差分信号确定，所述信号处理方法还包括，通过增加或者缩小所述第一偏置电压与所述第二偏置电压之间的差距从而调节所述互补金属氧化物半导体电平信号的直流共模成分。
4、在本申请的第一方面的一种可能的实现方式中，所述第二电平转换电路包括第一场效应管对和第二场效应管对，所述第一场效应管对与所述第二场效应管对之间满足互补关系，所述第一场效应管对的控制极电连接所述第二输出差分信号，所述第一场效应管对的负载极电连接所述第一互补电路的第一端点和第二端点，所述第一场效应管对的偏置极共同接地，所述第二场效应管对的控制极电连接所述第二输出差分信号，所述第二场效应管对的负载极电连接所述第二互补电路的第一端点和第二端点，所述第二场效应管对的偏置极共同电连接所述第二偏置电压，所述第一互补电路的第三端点电连接所述第一偏置电压，所述第二互补电路的第三端点接地。
5、在本申请的第一方面的一种可能的实现方式中，所述第一互补电路的偏置状态是基于所述第一偏置电压和所述第一场效应管对的负载极共同确定，所述第二互补电路的偏置状态是基于所述第二偏置电压和所述第二场效应管对的负载极共同确定。
6、在本申请的第一方面的一种可能的实现方式中，所述第一互补电路的第一端点和第二端点各自的直流电平是基于所述第一偏置电压和所述第二输出差分信号的直流共模成分确定，所述第二互补电路的第一端点和第二端点各自的直流电平是基于所述第二偏置电压和所述第二输出差分信号的直流共模成分确定，所述互补金属氧化物半导体电平信号的直流共模成分是基于所述第一互补电路的第二端点的直流电平和所述第二互补电路的第二端点的直流电平共同确定。
7、在本申请的第一方面的一种可能的实现方式中，所述第一互补电路的第二端点的电平与所述第二互补电路的第二端点的电平叠加后通过单端输出或者通过单端转差分电路输出得到所述互补金属氧化物半导体电平信号。
8、在本申请的第一方面的一种可能的实现方式中，所述第一偏置电压与所述第二偏置电压之间的差距越大，则所述第二输出差分信号的直流共模成分与所述互补金属氧化物半导体电平信号的直流共模成分之间的差距越大。
9、在本申请的第一方面的一种可能的实现方式中，所述第一场效应管对是p型场效应管对，所述第一场效应管对的控制极、负载极、偏置极分别是所述p型场效应管对的栅极、漏极、源极，所述第二场效应管对是n型场效应管对，所述第二场效应管对的控制极、负载极、偏置极分别是所述n型场效应管对的栅极、源极、漏极。
10、在本申请的第一方面的一种可能的实现方式中，所述第一场效应管对的导通阈值电压相同或者不同于所述第二场效应管对的导通阈值电压。
11、在本申请的第一方面的一种可能的实现方式中，所述第一场效应管对的导通阈值电压与所述第二场效应管对的导通阈值电压之间的差距越大，则所述第二输出差分信号的直流共模成分与所述互补金属氧化物半导体电平信号的直流共模成分之间的差距越大。
12、在本申请的第一方面的一种可能的实现方式中，所述信号处理方法还包括，基于所述第二输出差分信号的直流共模成分的幅度配置所述第一场效应管对的导通阈值电压。
13、在本申请的第一方面的一种可能的实现方式中，所述第二电平转换电路包括并联连接的且导通电压阈值不同的多个场效应管对，所述信号处理方法还包括，基于所述第二输出差分信号的直流共模成分的幅度，启用所述多个场效应管对中的给定场效应管对作为所述第一场效应管对。
14、在本申请的第一方面的一种可能的实现方式中，所述第一互补电路包括第一电阻和第二电阻，所述第一电阻和所述第二电阻分别电连接所述第一场效应管对的负载极，所述第一电阻和所述第二电阻共同连接所述第一偏置电压。
15、在本申请的第一方面的一种可能的实现方式中，所述第一互补电路包括第三场效应管对，所述第三场效应管对的类型与所述第一场效应管对的类型不同，所述第三场效应管对的控制极共同电连接所述第三偏置电压，所述第三场效应管对的负载极电连接所述第一场效应管对的负载极，所述第三场效应管对的偏置极共同电连接所述第一偏置电压。
16、在本申请的第一方面的一种可能的实现方式中，所述第一互补电路包括第三场效应管对，所述第三场效应管对的类型与所述第一场效应管对本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种用于时钟接收电路的信号处理方法，其特征在于，所述信号处理方法包括：
2.根据权利要求1所述的信号处理方法，其特征在于，所述第一互补电路的偏置状态是基于第一偏置电压和所述第二输出差分信号确定，所述第二互补电路的偏置状态是基于第二偏置电压和所述第二输出差分信号确定，所述信号处理方法还包括，通过增加或者缩小所述第一偏置电压与所述第二偏置电压之间的差距从而调节所述互补金属氧化物半导体电平信号的直流共模成分。
3.根据权利要求2所述的信号处理方法，其特征在于，所述第二电平转换电路包括第一场效应管对和第二场效应管对，所述第一场效应管对与所述第二场效应管对之间满足互补关系，所述第一场效应管对的控制极电连接所述第二输出差分信号，所述第一场效应管对的负载极电连接所述第一互补电路的第一端点和第二端点，所述第一场效应管对的偏置极共同接地，所述第二场效应管对的控制极电连接所述第二输出差分信号，所述第二场效应管对的负载极电连接所述第二互补电路的第一端点和第二端点，所述第二场效应管对的偏置极共同电连接所述第二偏置电压，所述第一互补电路的第三端点电连接所述第一偏置电压，所述第二
4.根据权利要求3所述的信号处理方法，其特征在于，所述第一互补电路的偏置状态是基于所述第一偏置电压和所述第一场效应管对的负载极共同确定，所述第二互补电路的偏置状态是基于所述第二偏置电压和所述第二场效应管对的负载极共同确定。
5.根据权利要求3所述的信号处理方法，其特征在于，所述第一互补电路的第一端点和第二端点各自的直流电平是基于所述第一偏置电压和所述第二输出差分信号的直流共模成分确定，所述第二互补电路的第一端点和第二端点各自的直流电平是基于所述第二偏置电压和所述第二输出差分信号的直流共模成分确定，所述互补金属氧化物半导体电平信号的直流共模成分是基于所述第一互补电路的第二端点的直流电平和所述第二互补电路的第二端点的直流电平共同确定。
6.根据权利要求5所述的信号处理方法，其特征在于，所述第一互补电路的第二端点的电平与所述第二互补电路的第二端点的电平叠加后通过单端输出或者通过单端转差分电路输出得到所述互补金属氧化物半导体电平信号。
7.根据权利要求3所述的信号处理方法，其特征在于，所述第一偏置电压与所述第二偏置电压之间的差距越大，则所述第二输出差分信号的直流共模成分与所述互补金属氧化物半导体电平信号的直流共模成分之间的差距越大。
8.根据权利要求3所述的信号处理方法，其特征在于，所述第一场效应管对是P型场效应管对，所述第一场效应管对的控制极、负载极、偏置极分别是所述P型场效应管对的栅极、漏极、源极，所述第二场效应管对是N型场效应管对，所述第二场效应管对的控制极、负载极、偏置极分别是所述N型场效应管对的栅极、源极、漏极。
9.根据权利要求3所述的信号处理方法，其特征在于，所述第一场效应管对的导通阈值电压相同或者不同于所述第二场效应管对的导通阈值电压。
10.根据权利要求3所述的信号处理方法，其特征在于，所述第一场效应管对的导通阈值电压与所述第二场效应管对的导通阈值电压之间的差距越大，则所述第二输出差分信号的直流共模成分与所述互补金属氧化物半导体电平信号的直流共模成分之间的差距越大。
11.根据权利要求10所述的信号处理方法，其特征在于，所述信号处理方法还包括，基于所述第二输出差分信号的直流共模成分的幅度配置所述第一场效应管对的导通阈值电压。
12.根据权利要求11所述的信号处理方法，其特征在于，所述第二电平转换电路包括并联连接的且导通电压阈值不同的多个场效应管对，所述信号处理方法还包括，基于所述第二输出差分信号的直流共模成分的幅度，启用所述多个场效应管对中的给定场效应管对作为所述第一场效应管对。
13.根据权利要求3所述的信号处理方法，其特征在于，所述第一互补电路包括第一电阻和第二电阻，所述第一电阻和所述第二电阻分别电连接所述第一场效应管对的负载极，所述第一电阻和所述第二电阻共同连接所述第一偏置电压。
14.根据权利要求3所述的信号处理方法，其特征在于，所述第一互补电路包括第三场效应管对，所述第三场效应管对的类型与所述第一场效应管对的类型不同，所述第三场效应管对的控制极共同电连接第三偏置电压，所述第三场效应管对的负载极电连接所述第一场效应管对的负载极，所述第三场效应管对的偏置极共同电连接所述第一偏置电压。
15.根据权利要求3所述的信号处理方法，其特征在于，所述第一互补电路包括第三场效应管对，所述第三场效应管对的类型与所述第一场效应管对的类型不同，所述第三场效应管对的控制极共同电连接所...
【技术特征摘要】
1.一种用于时钟接收电路的信号处理方法，其特征在于，所述信号处理方法包括：
2.根据权利要求1所述的信号处理方法，其特征在于，所述第一互补电路的偏置状态是基于第一偏置电压和所述第二输出差分信号确定，所述第二互补电路的偏置状态是基于第二偏置电压和所述第二输出差分信号确定，所述信号处理方法还包括，通过增加或者缩小所述第一偏置电压与所述第二偏置电压之间的差距从而调节所述互补金属氧化物半导体电平信号的直流共模成分。
3.根据权利要求2所述的信号处理方法，其特征在于，所述第二电平转换电路包括第一场效应管对和第二场效应管对，所述第一场效应管对与所述第二场效应管对之间满足互补关系，所述第一场效应管对的控制极电连接所述第二输出差分信号，所述第一场效应管对的负载极电连接所述第一互补电路的第一端点和第二端点，所述第一场效应管对的偏置极共同接地，所述第二场效应管对的控制极电连接所述第二输出差分信号，所述第二场效应管对的负载极电连接所述第二互补电路的第一端点和第二端点，所述第二场效应管对的偏置极共同电连接所述第二偏置电压，所述第一互补电路的第三端点电连接所述第一偏置电压，所述第二互补电路的第三端点接地。
4.根据权利要求3所述的信号处理方法，其特征在于，所述第一互补电路的偏置状态是基于所述第一偏置电压和所述第一场效应管对的负载极共同确定，所述第二互补电路的偏置状态是基于所述第二偏置电压和所述第二场效应管对的负载极共同确定。
5.根据权利要求3所述的信号处理方法，其特征在于，所述第一互补电路的第一端点和第二端点各自的直流电平是基于所述第一偏置电压和所述第二输出差分信号的直流共模成分确定，所述第二互补电路的第一端点和第二端点各自的直流电平是基于所述第二偏置电压和所述第二输出差分信号的直流共模成分确定，所述互补金属氧化物半导体电平信号的直流共模成分是基于所述第一互补电路的第二端点的直流电平和所述第二互补电路的第二端点的直流电平共同确定。
6.根据权利要求5所述的信号处理方法，其特征在于，所述第一互补电路的第二端点的电平与所述第二互补电路的第二端点的电平叠加后通过单端输出或者通过单端转差分电路输出得到所述互补金属氧化物半导体电平信号。
7.根据权利要求3所述的信号处理方法，其特征在于，所述第一偏置电压与所述第二偏置电压之间的差距越大，则所述第二输出差分信号的直流共模成分与所述互补金属氧化物半导体电平信号的直流共模成分之间的差距越大。
8.根据权利要求3所述的信号处理方法，其特征在于，所述第一场效应管对是p型场效应管对，所述第一场效应管对的控制极、负载极、偏置极分别是所述p型场效应管对的栅极、漏极、源极，所述第二场效应管对是n型场效应管对，所述第二场效应管对的控制极、负载极、偏置极分别是所述n型场效应管对的栅极、源极、漏极。
9.根据权利要求3所述的信号处理方法，其特征在于，所述第一场效应管对的导通阈值电压相同或者不同于所述第二场效应管对的导通阈值电压。
10.根据权利要求3所述的信号处理方法，其特征在于，所述第一场效应管对的导通阈值电压与所述第二场效应管对的导通阈值电压之间的差距越大，则所述第二输出差分信号的直流共模成分与所述互补金属氧化物半导体电平信号的直流共模成分之间的差距越大。
11.根据权利要求10所述的信号处理方法，其特征在于，所述信号处理方法还包括，基于所述第二输出差分信号的直流共模成分的幅度配置所述第一场效应管对的导通阈值电压。
12.根据权利要求11所述的信号处理方法，其特征在于，所述第二电平转换电路包括并联连接的且导通电压阈值不同的多...
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