【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件，并且更为具体而言涉及在半导体衬底上形成的压控振荡器(VCO)的部件的版图。
技术介绍
随着诸如PCI EXPRESS之类的高速接口技术的发展，增加的关注已投向通过使用廉价和紧凑的互补型金属氧化物半导体(CM0Q技术在接口电路上安装诸如VCO之类的部分。例如，包括单片半导体衬底上的CMOS晶体管的LC振荡回路VCO已在“A IO-Ghz CMOS LC VCO with Wide Tuning Range Using Capacitive Degeneration，，,TAE-Guen Yu, Seong-IK Cho和Hang-Geun Jeong，半导体技术和科学杂志，第6卷，第4期，2006年12月中提出。
技术实现思路
然而，根据“AIO-Ghz CMOS LC VCO with Wide Tuning Range Using Capacitive Degeneration”中的LC振荡回路VCO的版图，互相分隔地放置螺旋电感器和MOS变容器。 因而向耦合这些部件的布线添加了寄生电感器和寄生电容。因此，所测量的VCO振荡频率有时偏离由...
【技术保护点】
１．一种半导体器件，包括：半导体衬底；以及在所述半导体衬底之上形成的ＬＣ振荡回路ＶＣＯ，其中所述ＬＣ振荡回路ＶＣＯ包括：第一螺旋电感器和第二螺旋电感器；以及第一ＭＯＳ变容器和第二ＭＯＳ变容器，并且其中，当垂直于所述半导体衬底观看时，所述第一ＭＯＳ变容器和所述第二ＭＯＳ变容器设置在所述第一螺旋电感器和所述第二螺旋电感器之间的区域中。
【技术特征摘要】
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