制造非易失性存储器的方法技术

本发明专利技术提供一种制造非易失性存储器的方法，包括在衬底上形成非易失性存储单元的竖直堆叠。这通过以下步骤进行：在竖直的硅有源层的第一侧壁上形成间隔开的栅电极的竖直堆叠；以及处理该竖直硅有源层的第二侧壁以减少该有源层中的晶体缺陷和/或减少其中的界面陷阱密度。该处理能包括将该第二侧壁暴露于氧化物种，该氧化物种将该第二侧壁的表面转化为二氧化硅钝化层。掩埋绝缘图案还可直接形成在二氧化硅钝化层上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及制造存储器的方法，更特别地，涉及制造可重写的存储器的方法。
技术介绍
为了满足消费者对优异性能和低廉价格的需要，要求提高半导体器件的集成度。 在半导体存储器中，由于集成度是确定产品价格的重要因素，所以尤其需要高集成度。在常 规的二维或平面半导体存储器的情况下，由于器件的集成度主要由单位存储单元占据的面 积决定，所以器件的集成度受到形成精细图案的技术水平很大影响。然而，由于需要非常昂 贵的设备来实现图案的小型化，所以二维半导体存储器在提高集成度方面受到限制。为了克服该限制，已经提出了包括三维布置的存储单元的三维半导体存储器。然 而，为了批量制造三维半导体存储器，需要一种工艺技术，其能实现可靠的产品特性，且同 时每位的制造成本小于二维半导体存储器的每位制造成本。
技术实现思路
根据本专利技术实施方式的形成非易失性存储器的方法包括在衬底上形成非易失性 存储单元的竖直堆叠。这通过在竖直的硅有源层的第一侧壁上形成间隔开的栅电极的竖直 堆叠且处理该竖直的硅有源层的第二侧壁以减少该有源层中的晶体缺陷和/或减少其中 的界面陷阱密度(interface trap density)来完成。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成非易失性存储器的方法，包括：通过以下步骤在衬底上形成非易失性存储单元的竖直堆叠：在竖直的硅有源层的第一侧壁上形成间隔开的栅电极的竖直堆叠；以及用氧化物种处理该竖直的硅有源层的第二侧壁，该氧化物种将该第二侧壁的表面转化为二氧化硅钝化层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：孙龙勋，黄棋铉，白升宰，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR