OTP器件的形成方法技术

一种OTP器件的形成方法，包括：提供半导体基底，所述半导体基底上并列形成有选择栅和浮栅；形成介质层，覆盖所述选择栅、浮栅和半导体基底的表面；在所述介质层的表面引入氮元素；在所述介质层的表面形成图形化的光刻胶，所述图形化的光刻胶覆盖所述浮栅上方的介质层；以所述图形化的光刻胶为掩膜对所述介质层进行刻蚀，暴露出所述选择栅和半导体基底的表面。本发明专利技术能够改善介质层和图形化的光刻胶的粘附性，避免图形化的光刻胶剥离脱落导致的颗粒污染问题，而且也可以避免OTP器件的数据保存能力受到影响。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种OTP器件的形成方法。
技术介绍
一次可编程(OTP，One Time Programmable)器件是一种常用的存储器，属于只读 存储器，由于只能进行一次编程，故此得名。OTP器件出厂时，一般存储内容都是0或1，用 户可以根据自己的需要对其进行编程，将用户数据写入。OTP器件由于结构简单、易于使用、 造价较低等优点，在微控制器(MCU，Micro Control Unit)等芯片中可以替代传统的电可擦 写存储器(EPROM)，受到广泛的使用。图1至图3示出了现有技术的一种OTP器件的形成方法。参考图1，提供半导体基底10，所述半导体基底10上并列形成有选择栅(SG， Selective Gate) 11和浮栅(FG, Floating Gate) 12，此外还形成有介质层13，所述介质层 13覆盖所述半导体基底10的表面和所述选择栅11和浮栅12。所述选择栅11和浮栅12 的材料一般为多晶硅，所述介质层13的材料一般为氧化硅。所述介质层13用作金属硅化 物阻挡层(SAB，Salicide Block)，用于后续金属硅化物的形成过程中防止本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种ＯＴＰ器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底上并列形成有选择栅和浮栅；形成介质层，覆盖所述选择栅、浮栅和半导体基底的表面；在所述介质层的表面引入氮元素；在所述介质层的表面形成图形化的光刻胶，所述图形化的光刻胶覆盖所述浮栅上方的介质层；以所述图形化的光刻胶为掩膜对所述介质层进行刻蚀，暴露出所述选择栅和半导体基底的表面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孙凌，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31