具有平坦化碳纳米管层的存储器单元及其制造方法技术

在一些方面，提供了制造存储器单元的方法，其包括：（１）在衬底上方制造第一导体；（２）在第一导体上方制造碳纳米管（ＣＮＴ）材料；（３）沉积电介质材料于所述ＣＮＴ材料的顶表面上；（４）平坦化所述电介质材料以暴露至少部分所述ＣＮＴ材料；（５）在所述第一导体上方制造二极管；和（６）在所述ＣＮＴ材料和所述二极管上方制造第二导体。还提供了许多其他方面。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及非易失性存储器，并且更具体地涉及采用形成于底部导体上方的选择 性制造的碳纳米管(CNT)可逆电阻率转换元件的存储器单元及其制造方法。
技术介绍
已知由可逆电阻率转换元件形成的非易失性存储器。例如于2005年5月9日提交 的，标题为"REWRITEABLE MEMORY CELL COMPRISING ADIODE AND A RESISTANCE-SWITCHING MATERIAL”的美国专利申请序列号11/125，939(以下，“’ 939申请”)，其整体通过引用结 合于此用于所有目的，描述了包括与可逆电阻率转换材料(例如金属氧化物或者金属氮化 物)串连耦合的二极管的可重复写入的非易失性存储器单元。但是，由可重复写入可逆电阻率转换材料制造存储器装置在技术上有挑战；并且 期望采用可逆电阻率转换材料的存储器装置的改善的制造方法。
技术实现思路
在本专利技术的第一方面中，提供了制造存储器单元的方法，其包括(1)在衬底上方 制造第一导体；⑵在第一导体上方制造碳纳米管(CNT)材料；(3)沉积电介质材料于CNT 材料的顶表面上；⑷平坦化电介质材料以暴露至少部分CNT材料；(5)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器单元的制造方法，包括：在衬底上方制造第一导体；在所述第一导体上方制造碳纳米管（ＣＮＴ）材料；沉积电介质材料于所述碳纳米管材料的顶表面上；平坦化所述电介质材料以暴露至少部分所述碳纳米管材料；在所述第一导体上方制造二极管；并且在所述碳纳米管和二极管上方制造第二导体。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿普里尔施里克，马克克拉克，布拉德赫纳，田中世一郎，
申请(专利权)人：桑迪士克三D有限责任公司，
类型：发明
国别省市：US