采用ＮＤ３和Ｎ２混合气体退火制造ＳＯＮＯＳ闪存器件的方法技术

本发明专利技术公开了一种采用ＮＤ３和Ｎ２混合气体退火制造ＳＯＮＯＳ闪存器件的方法，包括如下步骤：第一步，接触孔刻蚀；第二步，采用ＮＤ３和Ｎ２混合气体进行退火；第三步，阻挡金属层和Ｗ金属淀积。该方法能大大提高隧穿氧化层和硅衬底界面处的电学特性，进而可以改善ＳＯＮＯＳ闪存器件的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体集成电路制造领域，尤其涉及一种采用ND3 (氘化氮)和N2 (氮 气)混合气体退火制造SONOS闪存器件的方法。
技术介绍
SONOS (硅氧氮氧硅)闪存器件(以氮化硅作为电荷存储介质的闪存器件)，因为 具备良好的等比例缩小特性和抗辐照特性而成为目前主要的闪存类型之一。SONOS闪存器 件面临的可靠性问题主要有两个一是Endurance (耐久)特性，就是衡量SONOS器件在多 次编程/擦除之后，器件特性方面可能的退化。二是Data Retention (数据保持)特性，就 是SONOS器件的数据保存能力。为了修补氧化层当中的悬挂键及其他工艺损伤，通常的工 艺在接触孔打开后，会采用氮气和氢气的混合气体进行合金工艺，这在一定程度上也可以 提高SONOS器件的可靠性。然而，由于氢硅键的键能比较低，所以在SONOS器件多次擦写后， 氢硅键容易断裂，导致可靠性变差。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种采用ND3和N2混合气体退火制造SONOS闪 存器件的方法，该方法能大大提高隧穿氧化层和硅衬底界面处的电学特性，进而可以改善 SONOS闪存器件的可靠性。为解决本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种采用ＮＤ３和Ｎ２混合气体退火制造ＳＯＮＯＳ闪存器件的方法，其特征在于，包括如下步骤：第一步，接触孔刻蚀；第二步，采用ＮＤ３和Ｎ２混合气体进行退火；第三步，阻挡金属层和Ｗ金属淀积。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林钢，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31