半导体结构的形成方法技术

本发明专利技术提供一种半导体结构的形成方法，所述方法包括提供具有存储阵列区与周边区的衬底，且存储阵列区包括至少一栅极堆迭，依序形成第一氧化层与氮化层于栅极堆迭上，于周边区中形成低压阱及高压阱，以第一温度对衬底进行第一热处理以于低压阱及高压阱上形成栅极氧化层，且第一热处理大抵不使氮化层的上表面氧化，于栅极氧化层中导入扩散阻挡材料，以及以高于第一温度的第二温度对衬底进行第二热处理以于氮化层及栅极氧化层上形成第二氧化层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关于一种，且特别是有关于存储器元件的工艺技术。
技术介绍
随着先进的CMOS技术中，沟道长度的逐渐縮短，造成沟道区与源极与漏极的耗尽 区重迭比例上升而使短沟道效应更为严重，为了抑制pMOSFET(p型金属氧化物半导体场效 应晶体管)的短沟道效应(short-channel effect, SCE)，广泛地使用双多晶硅栅极与表面 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。 在p+多晶硅栅极工艺中，需掺杂够高的硼以提供适合的栅极导电率。然而，硼在 高温工艺时具相对高的活性，会有部分的硼在多晶硅晶界中快速扩散。甚至部分的硼原子 会穿越栅极介电层到达衬底，造成元件效能衰退，例如启始电压不稳定或次启始电流摆荡 退化(subthreshold swing degradation)等。此现象艮卩为硼穿透效应(B penetration effect)。随着元件尺寸的縮小化，硼穿透所引发元件效能与可靠度上的不良影响更为严 重。 为了抑制硼的穿透效应，已知技术常使用去耦合等离子氮化(decoupledplasma nitridation， DPN)法与氮化后退火(post nitridation本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体结构的形成方法包括：提供一衬底，所述衬底具有一存储阵列区与一周边区，且所述存储阵列区包括至少一栅极堆迭；形成一第一氧化层于所述栅极堆迭上；形成一氮化层于所述第一氧化层上；对所述衬底注入以于所述周边区中形成一低压阱及一高压阱；以一第一温度对所述衬底进行一第一热处理以于所述低压阱及所述高压阱上分别形成一第一栅极氧化层与一第二栅极氧化层，所述第一栅极氧化层的厚度小于所述第二栅极氧化层，且所述第一热处理大抵不使所述氮化层的上表面氧化；于所述第一栅极氧化层与所述第二栅极氧化层中导入一扩散阻挡材料；以及以一高于所述第一温度的第二温度对所述衬底进行一第二热处理...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋汝平，石信卿，蔡耀庭，廖修汉，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]