反或型闪存的制造方法技术

本发明专利技术是关于一种反或（ＮＯＲ）型闪存的制造方法，使得在存储器组件尺寸进一步缩小时，不需再于栅极结构两侧额外形成氧化层间隔层，而直接以绝缘层间隔物或浅沟槽绝缘层填满，避免于过小的栅极结构间距中形成氧化层间隔层，而造成工艺困难度大幅提高的问题。且亦能省去栅极结构间，形成自动对准金属硅化物层所需的自动对准步骤，而避免于过小的栅极结构间距中，发生自动对准的困难。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种闪存的制造方法，更特别的是关于一种反或(NOR)型闪存的制造方法。
技术介绍
闪存是一种非易失性(non-volatile)的存储器，即在无外部电源供电时，也能够保存信息内容，这使得装置本身不需要浪费电力在数据的记忆上，再加上闪存也具备重复读写、体积小、容量高及便于携带的特性，这使得闪存特别适合使用在携带式的装置上。目前反或(NOR)型闪存应用的范围，除了个人计算机上的主机板会利用反或(NOR)型闪存储存BIOS数据外，手机、手持装置也会使用反或(NOR)型闪存来存放系统数据，藉由其高速的读取速度，满足手持装置的开机需求。 传统上的存储器结构如图l所示，包含有一半导体基底100、二栅极结构102、于该二栅极结构102上的二硅化钴层(Co-silicide)104、于该二栅极结构间底层上的一第三硅化钴层(Co-si 1 icide) 106 、于该栅极两侧的间隔层(spacer) 108及 一 位障插栓(barrier plug) 110。然而随着半导体工艺技术的进步，存储器组件的工艺技术也跨入纳米时代。针对纳米等级的组件结构，在线宽縮小的趋势下，由于结构越来越小本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种反或型闪存的制造方法，其特征在于，所述方法包含：提供一半导体基底；于该半导体基底上形成二栅极结构；以一绝缘层间隔物填满该些栅极结构间的空隙；刻蚀该绝缘层间隔物，使其与该些栅极结构的表面平齐；于该些栅极结构表面各形成一自动对准金属硅化物层；于该些栅极结构间刻蚀一接触孔；及于该接触孔形成一插塞。

【技术特征摘要】
一种反或型闪存的制造方法，其特征在于，所述方法包含提供一半导体基底；于该半导体基底上形成二栅极结构；以一绝缘层间隔物填满该些栅极结构间的空隙；刻蚀该绝缘层间隔物，使其与该些栅极结构的表面平齐；于该些栅极结构表面各形成一自动对准金属硅化物层；于该些栅极结构间刻蚀一接触孔；及于该接触孔形成一插塞。2. —种反或型闪存的制造方法，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴怡德，李永忠，陈宜秀，
申请(专利权)人：宜扬科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]