本发明专利技术是关于一种反或型闪存装置的字线漏电检测方法、系统及储存媒体。尤其是揭露一种字线内部漏电的自我检测方法、检测系统及其计算机可读取储存媒体，其是利用闪存装置中原本即具有的高电压供应单元及连接字线的电压检测器，高电压供应单元施加测试信号予选定的字线，电压检测器检测该字线的电压信号，通过测试信号与电压信号的比较，当电压信号不及于测试信号时即代表该字线为漏电。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于一种反或(NOR)型闪存装置的自我测试方法、系统及计算机可读取储存媒体，更特别的是关于一种反或型闪存装置的字线内部漏电的自我检测方法、系统及计算机可读取储存媒体。
技术介绍
随着半导体工艺技术的持续发展，半导体内存内组件的集成度也日渐提升，于工艺中所产生的极微小缺陷就会成为影响内存故障与否的关键。近年来，用来检测内存的故障检测，已成为工艺中的不可或缺的标准步骤。 请参阅图1，是反或型闪存中字线发生漏电的漏电路径示意图。图I中，存储单元数组3具有多个存储单元，每一存储单元于一字线(word line)驱动器组I内具有对应的一局部字线驱动器(图未示)，以传递每一存储单元于列方向上的选择指令。每一存储单元位于一字线WL与一位线BL的交会处，相邻二列则共享一源极线SL。这些位线BL则由列选择器5所驱动。反或型闪存中有各种原因会导致漏电的产生，例如字线泄漏Pl (相邻字线之间)、接面泄漏P2 (栅极与源极/漏极之间)或字线驱动器本身的泄漏P3等，这等漏电状况会造成闪存无法成功地被程序化、抹除、写入或读取。传统上，内存的测试是通过外部装置通过抹除/程序化/读取的步骤来分析及确认出漏电位置，然而于实际测试时，却容易发生测试时间的浪费(testing overhead)以及测试结果不正确的情况,其乃因从外部进行的内存测试很难明确地知道漏电位置，且测试过程中为了得到较正确的结果导致容易发生过度测试的情形。因此，现有的内存测试方法具有诸多的不便与缺点。
技术实现思路
本专利技术的一目的在于提供一种于反或型闪存装置中，能够从内部直接进行自我测试的字线漏电自我检测方法、系统及计算机可读取储存媒体。为达上述目的及其它目的，本专利技术的内部字线漏电自我检测方法包括以下步骤作为升压电路的高电压供应单兀施加一高电压测试信号予选定的一字线；将未被选定的字线、所有的位线及所有的存储单元数组源极线接地；反或型闪存装置内置的一电压检测器检测该字线的电压信号；及比较该高电压测试信号与该电压信号，以根据此二信号的电压差鉴别出该字线的漏电状态。为达上述目的及其它目的，本专利技术的内储测试程序的计算机可读取储存媒体执行前述的自我检测方法。于一实施例中，计算机可读取储存媒体更可内储存漏电的字线地址。为达上述目的及其它目的，本专利技术的内部字线漏电自我检测系统包括一高电压供应单元，提供一高电压测试信号；一电压检测器，电连接所有的字线，用以检测所选定字线的电压信号；一控制单元，电连接该高电压供应单元及该电压检测器，用以使该高电压供应单元施加该高电压测试信号予选定的该字线，并使未被选定的字线、所有的位线及所有的存储单元数组源极线接地，以及，接收该电压检测器测得的该字线的电压信号，以比较该高电压测试信号及该电压信号，并根据此二信号的电压差鉴别出该字线的漏电状态。于本专利技术的一实施例中，该内部字线漏电自我检测方法依地址顺序对所有的字线逐一鉴别其漏电状态。于本专利技术的一实施例中，在字线被鉴别为漏电状态时，可利用剩余的冗余单元直接取代漏电字线下的存储单元。藉此，从内部电路上进行漏电状态的直接检测可大幅降低误判的机率，并可准确地检测出各种漏电可能，例如相邻字线间的漏电、栅极至源极/漏极间的漏电、甚至是字线驱动器本身的漏电等。 附图说明图I为反或型闪存中字线发生漏电的漏电路径示意图。图2为本专利技术一实施例中自我检测系统的配置组态图。图3为本专利技术一实施例中自我检测方法的流程图。附图标号I字线驱动器组3存储单元数组5列选择器101字线驱动器组103存储单元数组105列选择器109行译码器111控制单元200高电压供应/监控装置202电压开关电路204高电压供应单元206电压检测器Vcc电源供应电压Vpp升压电压WDl WDm字线驱动器WLl WLm 字线BLl BLm 位线SL源极线Pl P3漏电路径SlOl Slll 步骤S201 S205 步骤具体实施例方式为充分了解本专利技术的目的、特征及功效，兹通过下述具体的实施例，并配合所附的附图，对本专利技术做一详细说明，说明如后请参阅图2，是本专利技术一实施例中自我检测系统的配置组态图。如一般的反或型闪存装置，存储单元数组103中的每一存储单元是由字线驱动器组101与列选择器105控制着。字线驱动器组101中包括多个字线驱动器WDl WDm，每一字线驱动器皆连接有一字线WLl WLm。每一条字线WLl WLm与位线BLl BLm的交会处即为一存储单元的所在。高电压供应/监控装置200是通过电压开关电路202及控制单元111的控制来选择性地提供电源供应电压Vcc或升压电压Vpp至选定的字线驱动器WDl WDm中。作为升压电路的高电压供应单元204是由控制单元111所使能，于使能后是利用电源供应电压Vcc来产生该升压电压Vpp。电压开关电路202的切换受控于控制单元111，于读取模式下使电压开关电路202的输出为电源供应电压Vcc，于编程或抹除模式下则使电压开关电路202的输出为升压电压Vpp，进而提供字线驱动器WDl WDm于各种模式下所需要的电压。其中，该控制单元111中通常包括计数器及状态控制器(图未示)，该计数器可用来做为字线地址的计数，而该状态控制器可用来控制与其电连接的其它单元的操作。 电压检测器206与每一字线驱动器WDl WDm连接并用来监控字线驱动器WDl WDm上的电压位准高低。当行译码器109指定的字线WLl WLm需要高电压时，控制单元使电压开关电路202的输出为升压电压Vpp，而该电压检测器206即检测/监控着此升压电压Vpp，当升压电压Vpp未达预定值时会反馈一信号至该控制单元111,该控制单元111即会令高电压供应单元204提高升压电压以达预定值。至于行译码器109则是根据控制单元111的地址指令来使能特定的字线驱动器WDl WDm，进而使电压供给至选定的字线WLl WLm。本专利技术即利用此等内部运作的机制来进行字线WLl WLm内部漏电自我检测方 法。请参阅图3，本专利技术一实施例中自我检测方法的流程图。首先，进行步骤S101，通过控制单元111及行译码器109选定特定地址的字线，于本实施例中可从存储单元数组103中地址最前面的第一条位线开始选定。然而，于其它顺序的选定方式亦可适用本专利技术。于步骤S103中，通过高电压供应单元204及电压开关电路202施加一高电压检测信号至选定的字线。此时，该控制单元111并同时使其它未被选定的字线、所有的位线及所有的存储单元数组源极线连接至接地端。于步骤S105中，通过电压检测器206测定选定的字线的电压信号并传输至该控制单元111，该控制单元111比较该高电压测试信号与该电压信号，若该高电压测试信号与该电压信号相符，则代表选定的字线并无漏电；若该高电压测试信号与该电压信号具有电压差而导致不相符时，就代表选定的字线为漏电，可标记此位线为故障。于其它的实施态样中，也可考虑一误差值而设定电压差为一定范围内时仍代表未漏电。于步骤S107中，通过该控制单元111判定是否还有其它字线未测试。于本实施例中，可为判定目前测试的字线是否为一序列下的最后一条字线，若是，则进入步骤S111，该控制单元111停止测试步骤并标记此存储单元数组为通过；若否，则进入步骤S109，将目前选定字线的地本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种反或型闪存装置的内部字线漏电自我检测方法，其特征在于，所述反或型闪存装置的内部字线漏电自我检测方法包括以下步骤：作为升压电路的高电压供应单元施加一高电压测试信号予选定的一字线；将未被选定的字线、所有的位线及所有的存储单元数组源极线接地；反或型闪存装置内置的一电压检测器检测所述字线的电压信号；及比较所述高电压测试信号与所述电压信号，以根据此二信号的电压差鉴别出所述字线的漏电状态。
【技术特征摘要】
1.一种反或型闪存装置的内部字线漏电自我检测方法，其特征在于，所述反或型闪存装置的内部字线漏电自我检测方法包括以下步骤 作为升压电路的高电压供应单元施加一高电压测试信号予选定的一字线； 将未被选定的字线、所有的位线及所有的存储单元数组源极线接地； 反或型闪存装置内置的一电压检测器检测所述字线的电压信号；及 比较所述高电压测试信号与所述电压信号，以根据此二信号的电压差鉴别出所述字线的漏电状态。2.如权利要求I所述的反或型闪存装置的内部字线漏电自我检测方法，其特征在于，所述内部字线漏电自我检测方法是依地址顺序对所有的字线逐一鉴别其漏电状态。3.如权利要求2所述的反或型闪存装置的内部字线漏电自我检测方法，其特征在于， 于鉴别出所述字线为漏电状态后，更包括以下步骤 读出所述字线的地址并标记为故障；及 使用剩余的冗余单元进行所述字线下存储单元的取代。4.如权利要求3所述的反或型闪存装置的内部字线漏电自我检测方法，其特征在于，于使用剩余的冗余单元进行所述字线下存储单元的取代后，更包括以下步骤 从一开始选定的所述字线依地址顺序重新检测。5.一种内储测试程...
【专利技术属性】
技术研发人员：卢孝华，
申请(专利权)人：宜扬科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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