温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种半导体结构的形成方法，所述方法包括提供具有存储阵列区与周边区的衬底，且存储阵列区包括至少一栅极堆迭，依序形成第一氧化层与氮化层于栅极堆迭上，于周边区中形成低压阱及高压阱，以第一温度对衬底进行第一热处理以于低压阱及高压阱上形成栅...
该专利属于华邦电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华邦电子股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。