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本发明公开了一种采用ＮＤ３和Ｎ２混合气体退火制造ＳＯＮＯＳ闪存器件的方法，包括如下步骤：第一步，接触孔刻蚀；第二步，采用ＮＤ３和Ｎ２混合气体进行退火；第三步，阻挡金属层和Ｗ金属淀积。该方法能大大提高隧穿氧化层和硅衬底界面处的电学特性，进而可...
该专利属于上海华虹ＮＥＣ电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹ＮＥＣ电子有限公司授权不得商用。

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