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在一些方面，提供了制造存储器单元的方法，其包括：（１）在衬底上方制造第一导体；（２）在第一导体上方制造碳纳米管（ＣＮＴ）材料；（３）沉积电介质材料于所述ＣＮＴ材料的顶表面上；（４）平坦化所述电介质材料以暴露至少部分所述ＣＮＴ材料；（５）在所...
该专利属于桑迪士克３Ｄ有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过桑迪士克３Ｄ有限责任公司授权不得商用。

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