【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种形成存储器的方法，该存储器具有在由具有x、y和z方向的矩形坐标定义的三维样式中布置的并且具有在z方向上堆叠的多个平行平面的存储器元件，该方法包括：提供半导体基板；在该半导体基板上形成预定的有源元件和金属线；在该基板顶部上形成多层结构，该多层结构是重复的层的子集，层的每个子集包括用于形成薄片电极的层、电介质层和牺牲材料；将导电柱在x‑y平面的2‑D阵列形成为在z方向上伸长穿过所述多个平面的位线柱，用存储器元件的R/W材料的覆层形成每个所述导电柱，当该x‑z平面中的所述导电柱和该x‑y平面中的薄片电极的层在层的每个子集处相交时，所述存储器元件的R/W材料的层处于与薄片电极的层的电接触；通过在多层结构中在x‑z平面中打开多个沟槽来暴露多层结构的截面部分；从每个沟槽在多层的牺牲层中蚀刻凹陷以在与导电柱的预定偏移内，从而暴露该层的一部分用于形成薄片电极；以及在这些凹陷中在横向方向上在多个平面上形成字线，所述字线被形成在用于形成薄片电极的层的暴露部分之上并且与该暴露部分电接触。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：G萨马奇萨，J埃尔斯梅尔，
申请(专利权)人：桑迪士克三D有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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