一种薄膜晶体管、其制备方法、阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管、阵列基板及显示装置，在形成有源层之后，在形成源电极和漏电极之前，还在有源层上形成相对设置的第一初始欧姆接触层和第二初始欧姆接触层，且第一初始欧姆接触层和第二初始欧姆接触层的材料均为氧化物材料，在形成源电极和漏电极之后，再进行高温处理，从而使源电极和漏电极中的铜原子扩散至第一初始欧姆接触层和第二初始欧姆接触层中，使氧化物材料具有较好的导电性。与现有技术相比由于在源电极和漏电极与有源层之间分别设置有具有较好导电性的第一目标欧姆接触层和第二目标欧姆接触层，因此可以使源电极和漏电极分别与有源层之间具有较好的欧姆接触，从而提高薄膜晶体管的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，尤指一种薄膜晶体管、其制备方法、阵列基板及显示 目.ο
技术介绍
在各种显示装置的像素单元中，通过施加驱动电压来驱动显示装置的薄膜晶体管(Thin Film Transistor, TFT)被大量使用。在TFT的有源层一直使用稳定性和加工性较好的非晶硅(a-Si)材料，但是a-Si材料的载流子迀移率较低，不能满足大尺寸、高分辨率显示器件的要求，特别是不能满足下一代有源矩阵式有机发光显示器件(Active MatrixOrganic Light Emitting Device,AMOLED)的要求。与非晶娃(a-Si)薄膜晶体管相比，多晶硅尤其是低温多晶硅薄膜晶体管具有更高的电子迀移率、更好的液晶特性以及较少的漏电流，已经逐渐取代非晶硅薄膜晶体管，成为薄膜晶体管的主流。目前，现有的多晶硅薄膜晶体管的结构如图1所示，包括衬底基板1、位于衬底基板1上的有源层2、位于有源层2上的栅极绝缘层3、位于栅极绝缘层3上的栅电极4、位于栅电极4上的介质层5、以及位于介质层5上的源电极6和漏电极7 ;且源电极6和漏电极7分别通过贯穿介质层5和栅极绝缘层3的过孔与有源层2电连接。在上述多晶硅薄膜晶体管中，由于薄膜晶体管的沟道的宽长比是通过对栅电极进行自对准工艺定义的，因此宽长比较大，并且源电极和漏电极分别与有源层的欧姆接触性能较差。因此，如何改善多晶硅薄膜晶体管的欧姆接触以及减小多晶硅薄膜晶体管的沟道的宽长比是本领域技术人员亟需解决的技术问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种薄膜晶体管、其制备方法、阵列基板及显示装置，用以改善薄膜晶体管中源电极和漏电极分别与有源层的欧姆接触以及减小薄膜晶体管的沟道的宽长比。本专利技术实施例提供的一种薄膜晶体管的制备方法，包括在衬底基板上形成栅电极的图形，还包括:在所述衬底基板上形成与所述栅电极相互绝缘的有源层的图形，其中所述有源层的材料为多晶娃；在所述有源层上形成同层且相对设置的第一初始欧姆接触层和第二初始欧姆接触层的图形，其中所述第一初始欧姆接触层和第二初始欧姆接触层的材料均为金属氧化物或金属氮氧化物；在所述第一初始欧姆接触层上方形成与所述第一初始欧姆接触层电连接的源电极的图形，以及在所述第二初始欧姆接触层上方形成与所述第二初始欧姆接触层电连接的漏电极的图形，其中所述源电极和所述漏电极的材料均至少包含有铜；对形成有所述源电极和所述漏电极的衬底基板进行高温处理，使所述源电极中的铜原子扩散至所述第一初始欧姆接触层中形成第一目标欧姆接触层，使所述漏电极中的铜原子扩散至所述第二初始欧姆接触层中形成第二目标欧姆接触层。较佳地，在本专利技术实施例提供的上述制备方法中，在形成所述第一初始欧姆接触层和所述第二初始欧姆接触层的图形之后，形成所述栅电极的图形；且所述栅电极与所述第一初始欧姆接触层和所述第二初始欧姆接触层均绝缘。较佳地，在本专利技术实施例提供的上述制备方法中，在形成所述源电极和所述漏电极的图形之前，形成所述栅电极的图形。较佳地，在本专利技术实施例提供的上述制备方法中，在形成第一初始欧姆接触层和所述第二初始欧姆接触层的图形之后，在形成所述栅电极的图形之前，还包括:在所述第一初始欧姆接触层和所述第二初始欧姆接触层上形成栅极绝缘层。较佳地，在本专利技术实施例提供的上述制备方法中，在形成所述栅电极的图形之后，在形成所述源电极和所述漏电极的图形之前，还包括:形成覆盖所述栅电极的层间介质层；形成贯穿所述栅极绝缘层和所述层间介质层的第一接触孔和第二接触孔，所述第一接触孔用于使将要形成的所述源电极与所述第一初始欧姆接触层电连接，所述第二接触孔用于使将要形成的所述漏电极与所述第二初始欧姆接触层电连接。较佳地，在本专利技术实施例提供的上述制备方法中，所述金属氧化物或金属氮氧化物中至少包含有铟(In)、锌(Zn)、镓(Ga)、锡(Sn)中的一种或多种。相应地，本专利技术实施例还提供了一种薄膜晶体管，包括衬底基板，位于所述衬底基板上方的栅电极、与所述栅电极相互绝缘的有源层，以及位于所述有源层上方且与所述有源层电连接的源电极和漏电极；其中，所述有源层的材料为多晶硅；所述薄膜晶体管还包括:分别位于所述源电极与所述有源层之间的第一欧姆接触层和位于所述漏电极与所述有源层之间的第二欧姆接触层，且所述源电极通过所述第一欧姆接触层与所述有源层电连接，所述漏电极通过所述第二欧姆接触层与所述有源层电连接；所述源电极和所述漏电极的材料均至少包含有铜，所述第一欧姆接触层的材料和所述第二欧姆接触层的材料分别由所述源电极中的铜原子和所述漏电极中的铜原子扩散至金属氧化物或金属氮氧化物后形成。较佳地，在本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管中，所述栅电极位于所述第一欧姆接触层和所述第二欧姆接触层的上方。较佳地，在本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管中，所述源电极和漏电极位于所述栅电极的上方。较佳地，在本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管中，还包括:位于所述第一欧姆接触层和所述第二欧姆接触层与所述栅电极之间的栅极绝缘层。较佳地，在本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管中，还包括:位于所述源电极和所述漏电极与所述栅电极之间的层间介质层；所述源电极通过贯穿所述栅极绝缘层和所述层间介质层的第一接触孔与所述第一欧姆接触层电连接，所述漏电极通过贯穿所述栅极绝缘层和所述层间介质层的第二接触孔与所述第二欧姆接触层电连接。较佳地，在本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管中，所述金属氧化物或金属氮氧化物中至少包含有铟、锌、镓、锡中的一种或多种。较佳地，在本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管中，所述栅电极的材料为铜。相应地，本专利技术实施例还提供了一种阵列基板，包括本专利技术实施例提供的上述任一种薄膜晶体管。较佳地，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，还包括:依次位于所述薄膜晶体管上方的平坦化层和像素电极；其中，所述像素电极通过过孔与所述薄膜晶体管中的漏电极电性相连。相应地，本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括本专利技术实施例提供的上述任一种阵列基板。本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管、阵列基板及显示装置，在形成有源层的图形之后，在形成源电极和漏电极的图形之前，还在有源层上形成相对设置的第一初始欧姆接触层和第二初始欧姆接触层的图形，且第一初始欧姆接触层和第二初始欧姆接触层的材料均为氧化物材料，在形成源电极和漏电极的图形之后，对形成有源电极和漏电极的图形的衬底基板进行高温处理，从而在高温处理的过程中，源电极和漏电极中的铜原子进行扩散；当源电极中的铜原子扩散至由氧化物材料形成的第一初始欧姆接触层中，从而使氧化物材料具有较好的导电性，形成第一目标欧姆接触层；当漏电极中的铜原子扩散至由氧化物材料形成的第二初始欧姆接触层中，从而使氧化物材料具有较好的导电性，形成第二目标欧姆接触层。与现有技术相比由于在源电极和漏电极与有源层之间分别当前第1页1 2 3 4 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管的制备方法，包括在衬底基板上形成栅电极的图形，其特征在于，还包括：在所述衬底基板上形成与所述栅电极相互绝缘的有源层的图形，其中所述有源层的材料为多晶硅；在所述有源层上形成同层且相对设置的第一初始欧姆接触层和第二初始欧姆接触层的图形，其中所述第一初始欧姆接触层和第二初始欧姆接触层的材料均为金属氧化物或金属氮氧化物；在所述第一初始欧姆接触层上方形成与所述第一初始欧姆接触层电连接的源电极的图形，以及在所述第二初始欧姆接触层上方形成与所述第二初始欧姆接触层电连接的漏电极的图形，其中所述源电极和所述漏电极的材料均至少包含有铜；对形成有所述源电极和所述漏电极的衬底基板进行高温处理，使所述源电极中的铜原子扩散至所述第一初始欧姆接触层中形成第一目标欧姆接触层，使所述漏电极中的铜原子扩散至所述第二初始欧姆接触层中形成第二目标欧姆接触层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：辛龙宝，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11