【技术实现步骤摘要】
【专利说明】
技术介绍
像是半桥电路的应用在半导体开关器件的半导体本体的本体与漂移区之间使用本体二极管作为在开关器件的反向模式下的续流二极管。在本体二极管的正向偏置模式下，注射到漂移区中的空穴和电子形成导致本体二极管的低正向电压降的高密度电荷载流子等离子体。电荷载流子的显著部分涌进将包括晶体管单元的有源区域与半导体本体的侧表面相分离的边缘区域。当开关器件从反向偏置变成正向偏置时，本体二极管从正向偏置变成反向偏置并且移动电荷载流子被从漂移区移除。期望的是提供更可靠的半导体器件。
技术实现思路
根据一个实施例，半导体器件包括具有布置在有源区域中且不在有源区域与半导体本体的侧表面之间的边缘区域中的晶体管单元的半导体本体。场电介质邻接半导体本体的第一表面并且在边缘区域中将连接到晶体管单元的栅极电极的导电结构与半导体本体相分离。场电介质包括从第一垂直延伸部到第二更大的垂直延伸部的过渡部。该过渡部在半导体本体中的非可耗尽延伸区的垂直突出部中，其中非可耗尽延伸区具有晶体管单元的本体/阳极区的导电类型，并且电连接到本体/阳极区中的至少一个。根据另一个实施例，半导体器件包括具有布置在...
【技术保护点】
一种半导体器件，包括：半导体本体，其包括布置在有源区域中且不在有源区域与所述半导体本体的侧表面之间的边缘区域中的晶体管单元；场电介质，其邻接所述半导体本体的第一表面并且在所述边缘区域中将连接到所述晶体管单元的栅极电极的导电结构与所述半导体本体相分离，所述场电介质包括从第一到第二更大的垂直延伸部的过渡部；以及所述晶体管单元的本体/阳极区的导电类型的且电连接到所述本体/阳极区中的至少一个的非可耗尽延伸区，其中，所述过渡部在所述非可耗尽延伸区的垂直突出部中。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：S加梅里特，F希尔勒，W彦切尔，WM斯耶德，J韦耶斯，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：发明
国别省市：奥地利;AT
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