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本发明涉及在边缘区域具有场电介质的半导体器件。一种半导体器件包括具有布置在有源区域中且不在有源区域与侧表面之间的边缘区域中的晶体管单元的半导体本体。场电介质邻接半导体本体的第一表面并且在边缘区域中将连接到晶体管单元的栅极电极的导电结构与半导...
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