一种解决后段金属间电介质层埋入型颗粒缺陷的返工方法技术

本发明专利技术提供了一种解决后段金属间电介质层埋入型颗粒缺陷的返工方法，包括：第一步骤：在二氧化硅覆盖层上形成金属氮化钛掩模的工艺之后检测到埋入型颗粒缺陷；第二步骤：通过刻蚀去除金属氮化钛掩模；第三步骤：使得二氧化硅覆盖层平坦化；第四步骤：对平坦化的二氧化硅覆盖层进行二氧化硅生长，使得平坦化的二氧化硅覆盖层的厚度达到目标厚度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，更具体地说，本专利技术涉及一种解决后段金属间电介质层埋入型颗粒缺陷的返工方法。
技术介绍
目前55纳米半导体集成电路制造工艺后段金属间电介质层一般有三到五层，每层的薄膜堆积模式为：碳化硅阻挡层/低介电常数二氧化硅层/二氧化硅掩模/金属氮化钛掩模/二氧化硅覆盖，五层薄膜沉积中的任何一个站点都有可能会产生颗粒缺陷问题，如果在沉积当站发现表面缺陷，可以通过洗涤器的方法进行返工，将晶圆表面颗粒冲洗掉，但是如果是埋入型颗粒缺陷，颗粒的一部分深埋在薄膜中间，如图1所示，这种情况洗涤器不能发挥作用，则只能直接释放该批次或者报废晶圆，没有任何其他返工流程。这样就造成了极大的产品良率损失和成本提升。由此，希望能够提供一种解决后段金属间电介质层埋入型颗粒缺陷的返工方法。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够解决后段金属间电介质层埋入型颗粒缺陷的返工方法。为了实现上述技术目的，根据本专利技术，提供了一种解决后段金属间电介质层埋入型颗粒缺陷的返工方法，包括：第一步骤：在二氧化硅覆盖层上形成金属氮化钛掩模的工艺之后检测到埋入型颗粒缺陷；第二步骤：通过刻蚀去除金属氮化钛掩模；第三步骤：使得二氧化硅覆盖层平坦化；第四步骤：对平坦化的二氧化硅覆盖层进行二氧化硅生长，使得平坦化的二氧化硅覆盖层的厚度达到目标厚度。优选地，第三步骤通过化学机械研磨使得二氧化硅覆盖层平坦化。优选地，第三步骤使得二氧化硅覆盖层的厚度减薄。优选地，目标厚度是化学机械研磨之前的二氧化硅覆盖层的厚度。为了实现上述技术目的，根据本专利技术，还提供了一种解决后段金属间电介质层埋入型颗粒缺陷的返工方法，包括：第一步骤：在形成二氧化硅覆盖层的工艺之后检测到埋入型颗粒缺陷；第二步骤：使得二氧化硅覆盖层平坦化；第三步骤：对平坦化的二氧化硅覆盖层进行二氧化硅生长，使得平坦化的二氧化硅覆盖层的厚度达到目标厚度。优选地，第二步骤通过化学机械研磨使得二氧化硅覆盖层平坦化。优选地，第二步骤使得二氧化硅覆盖层的厚度减薄。优选地，目标厚度是化学机械研磨之前的二氧化硅覆盖层的厚度。本专利技术提供了一种解决后段金属间电介质层埋入型颗粒缺陷的返工方法，能够解决后段金属间电介质层埋入型颗粒缺陷造成的良率降低问题。附图说明结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本专利技术有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：图1示意性地示出了埋入型颗粒缺陷的显微示图。图2示意性地示出了根据本专利技术第一优选实施例的解决后段金属间电介质层埋入型颗粒缺陷的返工方法的第一步骤。图3示意性地示出了根据本专利技术第一优选实施例的解决后段金属间电介质层埋入型颗粒缺陷的返工方法的第二步骤。图4示意性地示出了根据本专利技术第一优选实施例的解决后段金属间电介质层埋入型颗粒缺陷的返工方法的第三步骤。图5示意性地示出了根据本专利技术第一优选实施例的解决后段金属间电介质层埋入型颗粒缺陷的返工方法的第四步骤。图6示意性地示出了根据本专利技术第二优选实施例的解决后段金属间电介质层埋入型颗粒缺陷的返工方法的第一步骤。图7示意性地示出了根据本专利技术第二优选实施例的解决后段金属间电介质层埋入型颗粒缺陷的返工方法的第二步骤。图8示意性地示出了根据本专利技术第二优选实施例的解决后段金属间电介质层埋入型颗粒缺陷的返工方法的第三步骤。需要说明的是，附图用于说明本专利技术，而非限制本专利技术。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。具体实施方式为了使本专利技术的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本专利技术的内容进行详细描述。本专利技术的专利技术人分析金属间电介质层的埋入型颗粒缺陷造成的良率降低的原因，基本是由于埋入型颗粒缺陷的突起影响到后续光刻的图形曝光，最终导致铜线断开，如果在晶圆存在埋入型颗粒缺陷后能将金属间电介质层表面磨平，再按照原工艺堆叠方式进行返工，则不会有此问题。下面将具体描述本专利技术的优选实施例。<第一优选实施例>图2至图5示意性地示出了根据本专利技术第一优选实施例的解决后段金属间电介质层埋入型颗粒缺陷的返工方法的各个步骤。如图2至图5所示，根据本专利技术优选实施例的解决后段金属间电介质层埋入型颗粒缺陷的返工方法包括：第一步骤：在二氧化硅覆盖层20上形成金属氮化钛掩模30的工艺之后检测到埋入型颗粒缺陷10；第二步骤：通过刻蚀去除金属氮化钛掩模30；第三步骤：使得二氧化硅覆盖层20平坦化；一般，第三步骤通过化学机械研磨使得二氧化硅覆盖层20平坦化。其中，第三步骤使得二氧化硅覆盖层20的厚度减薄。第四步骤：对平坦化的二氧化硅覆盖层20进行二氧化硅生长，使得平坦化的二氧化硅覆盖层20的厚度达到目标厚度。例如，目标厚度是化学机械研磨之前的二氧化硅覆盖层20的厚度。由此，本专利技术提供了一种解决后段金属间电介质层埋入型颗粒缺陷的返工方法，能够解决后段金属间电介质层埋入型颗粒缺陷造成的良率降低问题。<第二优选实施例>图6至图8示意性地示出了根据本专利技术第二优选实施例的解决后段金属间电介质层埋入型颗粒缺陷的返工方法的各个步骤。如图6至图8所示，根据本专利技术优选实施例的解决后段金属间电介质层埋入型颗粒缺陷的返工方法包括：第一步骤：在形成二氧化硅覆盖层的工艺之后检测到埋入型颗粒缺陷；第二步骤：使得二氧化硅覆盖层20平坦化；一般，第二步骤通过化学机械研磨使得二氧化硅覆盖层20平坦化。其中，第二步骤使得二氧化硅覆盖层20的厚度减薄。第三步骤：对平坦化的二氧化硅覆盖层20进行二氧化硅生长，使得平坦化的二氧化硅覆盖层20的厚度达到目标厚度。例如，目标厚度是化学机械研磨之前的二氧化硅覆盖层20的厚度。同样，由此，本专利技术提供了一种解决后段金属间电介质层埋入型颗粒缺陷的返工方法，能够解决后段金属间电介质层埋入型颗粒缺陷造成的良率降低问题。本专利技术提供了一种解决后段金属间电介质层埋入型颗粒缺陷的返工方法，能够解决后段金属间电介质层埋入型颗粒缺陷造成的良率降低问题。此外，需要说明的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。可以理解的是，虽然本专利技术已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本专利技术。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本专利技术技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的
技术实现思路
对本专利技术技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本专利技术技术方案的内容，依据本专利技术的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本专利技术技术方案保护的范围内。而且还应该理解的是，本专利技术并不限于此处描述的特定的方法、化合物、材料、制造技术、用法和应用，它们可以变化。还应该理解的是，此处描述的术语仅仅用来描述特定实施例，而不是用来限制本专利技术的范围。必须注意的是，此处的以及所附权利要求中使用的单数形式“一个”、“一种”以及“该”包括复数基准，除非上下文明确表示相反意思。因此，例如，对“一个元素”的引述意味着对一个或多个元素的引述，并且包括本领域技术人员已知的它的等价物。类似地，作本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种解决后段金属间电介质层埋入型颗粒缺陷的返工方法，其特征在于包括：第一步骤：在二氧化硅覆盖层上形成金属氮化钛掩模的工艺之后检测到埋入型颗粒缺陷；第二步骤：通过刻蚀去除金属氮化钛掩模；第三步骤：使得二氧化硅覆盖层平坦化；第四步骤：对平坦化的二氧化硅覆盖层进行二氧化硅生长，使得平坦化的二氧化硅覆盖层的厚度达到目标厚度。

【技术特征摘要】
1.一种解决后段金属间电介质层埋入型颗粒缺陷的返工方法，其特征在于包括：第一步骤：在二氧化硅覆盖层上形成金属氮化钛掩模的工艺之后检测到埋入型颗粒缺陷；第二步骤：通过刻蚀去除金属氮化钛掩模；第三步骤：使得二氧化硅覆盖层平坦化；第四步骤：对平坦化的二氧化硅覆盖层进行二氧化硅生长，使得平坦化的二氧化硅覆盖层的厚度达到目标厚度。2.根据权利要求1所述的解决后段金属间电介质层埋入型颗粒缺陷的返工方法，其特征在于，第三步骤通过化学机械研磨使得二氧化硅覆盖层平坦化。3.根据权利要求1或2所述的解决后段金属间电介质层埋入型颗粒缺陷的返工方法，其特征在于，第三步骤使得二氧化硅覆盖层的厚度减薄。4.根据权利要求1或2所述的解决后段金属间电介质层埋入型颗粒缺陷的返工方法，其特征在于，目标厚度是化学机械研磨...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢素兰，李健，许隽，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31